Rain科技6月29日消息，全球领先的半导体设备制造商ASML（阿斯麦）已启动下一代Hyper NA EUV（极紫外光）先进光刻机的研发工作，旨在为未来十年的芯片产业发展奠定基础。
ASML公司的首席技术官Jos Benschop透露，ASML正与其独家光学合作伙伴蔡司（Carl Zeiss）紧密合作，共同研究一款能够在单次曝光中实现5纳米（nm）分辨率的新一代EUV光刻机。这一技术的突破预计将满足2035年及以后更严苛的芯片制程需求。
目前，ASML向市场出货的最先进光刻机在单次曝光时可达到8纳米（nm）的分辨率。相较之下，以往的老旧光刻技术需要多次曝光才能达到相似的精细度，不仅效率低下，良率也受到一定影响，这表明了ASML在突破光刻技术瓶颈上持续的努力和投入。
Jos Benschop进一步指出，ASML与蔡司目前正在进行详细的设计研究，其核心目标是将数值孔径（NA）提升至0.7或更高水平。尽管如此，现阶段尚未设定具体的上市时间表，这表明该技术的研发仍处于早期探索阶段，需要克服诸多技术挑战。
数值孔径（NA）是衡量光学系统收集和聚焦光线能力的关键技术参数，它直接决定了电路图案能否被精确地投影到晶圆上。一般而言，数值孔径越大且光波波长越短，光刻精度也就越高。当前标准EUV光刻机的NA为0.33，而最新一代High NA EUV光刻机已将NA提升至0.55。ASML此次着力研发的Hyper NA EUV光刻机，则将目标瞄准了0.7或更高的超高NA领域，这标志着半导体光刻技术正迈向一个全新的高度。
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