光源芯片
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中国移动全自研光源芯片问世
中国移动研究院成功研制出首款全自主研发的新结构硅基外腔混合集成光源芯片。该芯片线宽达34.2 Hz,相位噪声比现有产品降低三个量级,芯片面积缩小90%,实现全链条自主可控,为T比特级下一代光传输激光器发展提供关键技术支撑。
中国移动研究院成功研制出首款全自主研发的新结构硅基外腔混合集成光源芯片。该芯片线宽达34.2 Hz,相位噪声比现有产品降低三个量级,芯片面积缩小90%,实现全链条自主可控,为T比特级下一代光传输激光器发展提供关键技术支撑。