快科技8月18日消息，半导体公司NEO Semiconductor近日宣布推出3D X-AI芯片技术，旨在取代现有DRAM芯片，用于高带宽内存(HBM)，从而提升人工智能处理性能并显著降低能耗。
据悉，3D X-AI芯片集成了8000个神经元电路，这些电路直接在3D DRAM中执行AI处理任务，实现了AI性能加速达到100倍。该芯片的创新之处在于将AI处理与数据存储整合在一起，打破了传统架构中数据存储与处理分离带来的性能瓶颈和高功耗问题。
与传统架构相比，3D X-AI芯片的优势体现在以下几个方面：
- 性能提升：通过将AI处理直接集成到3D DRAM中，3D X-AI芯片可以实现高达100倍的性能加速，大幅提升AI应用的效率。
- 功耗降低：由于减少了数据传输需求，3D X-AI芯片的功耗降低了99%，有效降低了数据总线的功耗和发热问题，从而提高系统稳定性和效率。
- 内存密度提升：3D X-AI芯片包含300个DRAM层，支持运行更大规模的AI模型，显著提高内存密度，为更复杂的AI应用提供更多支持。
- 数据吞吐量提升：通过类似HBM的堆叠封装，3D X-AI芯片实现了每芯片高达10 TB/s的AI处理吞吐量，为实时AI应用和高速数据处理提供了保障。
NEO Semiconductor创始人兼首席执行官Andy Hsu表示，3D X-AI芯片的创新意义在于它打破了数据存储与处理分离的传统架构，将AI处理直接集成到内存中，从而显著减少数据传输量，实现性能提升和功耗降低。这一创新有望推动新兴AI用例的开发，并为AI应用创新开启新时代。
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