存储巨头铠侠KIOXIA在近期举行的公司战略会议上，发布了其面向人工智能（AI）时代的全面发展战略。面对AI应用对存储速度、性能和功耗的极致需求，铠侠正通过创新技术和产品布局，积极应对并抓住机遇。
专为AI设计的SSD：10M IOPS的极致性能
铠侠战略的核心之一是开发专为AI应用设计的固态硬盘（SSD）。这款创新SSD将融合XL-FLASH高性能SLC NAND闪存与全新设计的SSD控制器。官方数据显示，这款SSD的随机读取性能将达到惊人的10M IOPS。这意味着，与目前企业级TLC PCIe 5.0 SSD（约3000+K IOPS）相比，性能提升超过三倍。如此巨大的性能提升，将显著加速AI模型训练、推理等关键任务。铠侠预计，该产品的样品将在2024年下半年面世，引发业界期待。
拓展存储级内存(SCM)领域：CXL协议加持
除了高速SSD，铠侠还在积极布局存储层级中DRAM与普通NAND闪存之间的SCM（存储级内存）领域。SCM技术兼具DRAM的高速和NAND闪存的非易失性，在特定应用场景中具有优势。铠侠计划在2026年下半年推出支持CXL (Compute Express Link) 协议的XL-FLASH存储产品。CXL是一种高性能互连技术，能够实现CPU、GPU、加速器等设备与存储设备之间的高速低延迟通信。通过CXL协议的加持，XL-FLASH将能够更好地满足高性能计算和AI应用的需求，进一步拓展铠侠在高端存储市场的版图。
提升能效：OCTRAM技术的探索
在降低功耗方面，铠侠正与南亚科技合作，共同研发基于4F2架构的氧化物半导体（IGZO）通道晶体管DRAM内存，即OCTRAM。该技术有望大幅降低漏电流，从而显著提升能效。随着AI应用对算力的需求不断增长，功耗问题日益突出。OCTRAM技术将有助于解决AI应用面临的能耗挑战，推动AI技术的可持续发展。
NAND闪存技术路线图：332层堆叠，4800MT/s接口速率
在NAND闪存技术方面，铠侠同样展示了其持续创新的决心。下一代BiCS 10技术将实现332层堆叠，最大容量可达2Tb，接口速率将飙升至4800MT/s。更高的堆叠层数意味着更大的存储密度，而更快的接口速率则意味着更高的数据传输速度。不仅如此，该技术还将带来读取延迟的减少、写入功耗的降低以及比特密度的提升，为数据存储领域带来革命性的变化。这一系列技术进步将推动存储设备朝着更快、更高效、更大容量的方向发展。
结语：稳步迈向AI存储前沿
通过这些前瞻性的技术研发与市场布局，铠侠正稳步迈向AI时代的存储前沿。从高性能SSD到SCM，再到下一代NAND闪存技术，铠侠正在构建一个全方位的存储解决方案，致力于为AI应用提供更高效、更可靠的存储支持。随着AI技术的不断发展，铠侠有望在未来存储市场中占据更加重要的地位。
