近日，半导体行业爆出重磅消息：联发科的天玑系列芯片预计将由英特尔进行代工生产。这一传闻一旦属实，将成为半导体制造领域的一大突破，尤其是在全球晶圆代工产能日益紧张的当下。消息指出，在苹果初步确定采用英特尔18A工艺后，英特尔似乎已成功争取到另一大客户——联发科，后者有望在其14A工艺节点上生产其高性能移动芯片。
我们知道，此前已有报道称苹果公司正在评估英特尔的18A-P工艺，并可能将其应用于入门级的M系列芯片，预计最快将在2027年实现出货。此外，苹果计划在2028年推出的定制化ASIC（专用集成电路）也可能采用英特尔的EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）封装技术。当前，苹果已与英特尔签署保密协议，并接收了18A-P工艺的PDK（工艺设计套件）样本以进行深入评估。
值得关注的是，英特尔的18A-P工艺是其首个支持Foveros Direct 3D混合键合技术的前沿节点。这项先进技术能够通过硅通孔（TSV）实现多颗芯片（Chiplets）的垂直堆叠，从而在封装层面集成更多功能，提高性能和集成度。
如今，一个更为大胆的传闻浮出水面，即英特尔已成功吸引联发科成为其14A工艺的客户。然而，将英特尔的14A工艺应用于联发科天玑系列这类要求极高的移动端SoC（系统级芯片）并非易事。英特尔在18A和14A节点上大力投入的背面供电技术，虽然有望在性能上带来显著提升，但也伴随着一个潜在的严峻挑战——严重的自发热效应。
手机等移动设备的内部空间极其有限，散热设计本就是一项巨大的挑战。而背面供电技术带来的额外自发热，对于需要长时间高负荷运行的移动端SoC来说，无疑是一项严峻的考验。若要确保系统的稳定性和可靠性，可能需要采用更先进、更复杂的散热解决方案，例如VC均热板、液冷技术等，这无疑会增加产品成本和设计难度。如果联发科和英特尔能够共同攻克这一技术瓶颈，成功优化其移动芯片的功耗和散热表现，那么双方深化合作的可能性将大大增加，这对于整个移动芯片产业都将产生深远影响。
