Rain科技6月9日消息，继长鑫科技之后，中国又一家存储芯片制造商即将登陆资本市场。
此前，国内DRAM龙头企业长鑫科技已于2026年5月27日成功通过科创板IPO审核，拟募集资金295亿元，成为科创板历史上第二大IPO项目。目前该公司已进入证监会注册环节，预计今年第三季度正式挂牌上市。长鑫科技的上市进程，标志着中国存储芯片产业在资本化道路上迈出了重要一步。
证监会官网IPO辅导公示系统显示，西安紫光国芯半导体股份有限公司与辅导券商中信建投，已正式向陕西证监局提交辅导工作完成报告。该公司于2026年1月6日提交辅导备案，整个辅导工作历时5个月。这一进展表明，紫光国芯的上市准备工作已进入最后冲刺阶段。
作为新紫光集团存储板块的战略支柱企业，紫光国芯成立于2006年，前身为英飞凌西安存储事业部，传承至今已有20年的DRAM技术积累。这也使其成为国内少数能够提供全系列、全品类DRAM存储产品，并具备完整芯片设计能力的企业。从技术路线来看，紫光国芯在DRAM领域覆盖了从颗粒设计到模组集成的全链条，这在国产存储厂商中并不多见。
目前公司核心业务覆盖存储颗粒、KGD芯片、模组系统、堆叠大带宽DRAM及CXL主控芯片，同时提供集成电路设计服务，已有20余款芯片和40余款模组产品实现全球量产销售。值得注意的是，CXL主控芯片作为新兴的互联技术方向，有望在数据中心和AI计算场景中发挥重要作用，这也为紫光国芯的未来增长提供了新的想象空间。
股权结构方面，北京紫光存储科技有限公司持有紫光国芯59.63%的股份，为控股股东。成都高投集团旗下成都高新倍特启新股权投资合伙企业已于5月19日完成对紫光国芯的战略投资，进一步夯实了公司的资本实力。引入地方国资背景的战略投资者，不仅增强了公司的资金储备，也为其在西部地区的产业布局提供了政策与资源支持。
财务数据显示，紫光国芯2025年经营业绩显著改善，全年营业收入达18.3亿元，同比增长54.79%；净利润1.12亿元，较上年同期成功实现扭亏为盈。从行业背景来看，2025年全球存储芯片市场经历了周期性回暖，DRAM价格回升以及国产替代需求增长，是公司业绩改善的重要外部因素。同时，公司内部产品结构优化和成本控制也发挥了积极作用。
此外，公司还是国家高新技术企业、国家企业技术中心和国家知识产权优势企业，承担着多个国家级重大研发专项。这些资质和项目经验，不仅体现了公司的技术实力，也为其后续研发投入和产品迭代提供了持续动力。
长鑫科技与紫光国芯相继进入上市关键阶段，标志着中国存储芯片产业已从技术突破期逐步迈入规模化发展阶段。两家企业的资本化进程，不仅为自身发展提供了资金保障，也将为国产存储替代进程提供更坚实的资本支撑。从更宏观的视角来看，随着国产DRAM产能和技术的持续提升，中国在全球存储芯片市场的话语权有望进一步增强。
