7月9日消息，据上交所披露的完整发行公告，国内DRAM存储龙头长鑫科技正式敲定申购时间，网上、网下申购统一安排在7月16日，将登陆科创板。这一里程碑事件意味着国产存储芯片领域迎来首家IDM（垂直整合制造）上市公司，在三星、海力士、美光长期主导的全球DRAM市场中，长鑫科技的资本化进程有望加速技术突破与产能扩张。
公司证券代码688825，普通投资者网上申购代码为787825，
本次发行总量66.88亿股，占发行后总股本一成，同时授予保荐机构最高15%超额配售选择权。 从发行结构看，半数新股将优先向战略投资者定向配售，剩余份额拆分给机构与散户投资者，这种安排既保证了长期资本支持，也为普通投资者提供了参与国产芯片成长的机会。
全额行使后总发行量可达76.91亿股，整体募资规模295亿元，资金将全部投向12英寸晶圆产线扩建、HBM高端存储芯片研发及配套产能建设。HBM（高带宽存储器）是AI算力基础设施的关键元件，目前主要被海力士、三星和美光垄断，长鑫科技此举旨在缩小技术代差，填补国内在高端存储领域的空白。
本次发行采用战略配售、网下询价与网上打新结合的模式，7月13日开启网下初步询价，7月15日正式披露最终发行价格，
7月16日全天开放申购通道，参与网上申购需要持有沪市A股对应市值。申购完成后，投资者需在7月20日收盘前完成足额缴款，逾期视为放弃中签资格。整体流程紧凑，体现了科创板对优质企业的快速通道支持。
长鑫科技2016年在合肥成立，是国内唯一实现DRAM芯片自主研发、制造一体化的IDM厂商，全资子公司长鑫存储完成DDR4、DDR5、LPDDR5全系列内存颗粒量产。 产品覆盖服务器、PC、智能手机、智能汽车算力等赛道，打破三星、海力士、美光长期垄断全球DRAM市场的格局，旗下三座12英寸晶圆厂持续释放产能，深度供货小米、联想、国内头部云服务商等客户。上市募资完成后将加速高端算力存储HBM产品落地，
进一步缩小与海外存储巨头的技术代差。
从行业视角看，长鑫科技此次IPO不仅为其自身扩产注入资金，更标志着国产存储进入“资本+技术”双轮驱动阶段。全球DRAM市场年规模超过千亿美元，中国企业长期缺席，长鑫科技上市后有望通过资本杠杆加速良率提升和产能爬坡，为国产芯片自主化提供重要支撑。
