芯片工艺
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国产4年前已有4nm专利,突破EUV限制
国内正探索DUV光刻工艺极限,华为早在2021年就发表论文,利用SAQP技术(非四重光刻)实现2nm级工艺,并已申请GAA、CFET等1nm以下关键技术专利。此举旨在突破外部制裁,并可能在芯片竞争力上挑战使用EUV的国际大厂。
国内正探索DUV光刻工艺极限,华为早在2021年就发表论文,利用SAQP技术(非四重光刻)实现2nm级工艺,并已申请GAA、CFET等1nm以下关键技术专利。此举旨在突破外部制裁,并可能在芯片竞争力上挑战使用EUV的国际大厂。