质量缺陷

三星在内存和闪存领域遭遇挑战。DRAM被SK海力士超越，HBM也落后。其第九代V9 QLC闪存因质量缺陷，量产推迟至2026年上半年。相形之下，SK海力士已率先量产300+层QLC闪存，并在性能上表现更优。QLC闪存对AI时代至关重要，三星的失利可能影响其营收和市场份额。