Rain科技9月18日报道，作为全球最大的DRAM内存和NAND闪存供应商，三星近年来在半导体行业的发展似乎遇到了一些挑战。
在内存领域，三星在DDR5时代便开始面临SK海力士的强劲追赶，尤其是在HBM（高带宽内存）市场，三星已落后于SK海力士。据报道，SK海力士在连续两个季度超越三星，打破了三星保持了二三十年的内存市场领导者地位。
而在闪存领域，市场上其他厂商普遍已开始量产300层以上的TLC和QLC闪存。然而，三星在此节点上却遭遇了QLC闪存的瓶颈。其第九代V9闪存虽然实现了280层的堆栈，并于去年4月开始了TLC闪存的量产，单颗容量达到了1Tb，但其QLC闪存的进展则不尽如人意。原计划于2024年9月开始量产的V9 QLC闪存，由于被曝出存在质量缺陷，在性能和延迟方面均存在问题，其全面量产时间已被推迟至2026年上半年。
目前，三星在高端QLC闪存方面，其主力产品仍然是上一代的V7，而V8系列并未推出QLC型号。QLC闪存凭借其更高的容量和更低的成本，在当前AI浪潮下备受青睐，市场需求甚至超过了TLC闪存。在这种关键时刻，三星QLC闪存的掉队，无疑将对其营收和市场份额造成显著的不利影响。
作为对比，SK海力士在QLC闪存领域依旧保持着领先地位。该公司于8月份宣布率先量产了300+层的QLC闪存，具体达到了321层，并且已实现量产。更值得注意的是，其新一代QLC闪存将接口速度翻倍，写入性能提升了56%，读取性能也提高了18%，这在竞争日益激烈的闪存市场中具有重要的战略意义。
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