#闪存

2月，DRAM和NAND芯片价格同步上涨，DRAM创历史新高，NAND飙升超33%。AI热潮导致通用存储产品短缺。DRAM价格预计短期见顶趋于稳定，而NAND价格有望继续上涨，下半年仍将供不应求。

三星将在闪存芯片上引入3D晶体管技术，实现单位面积内更多晶体管的堆叠。这将大幅提升闪存存储密度，带来信号传输速度提升、功耗降低和尺寸缩小等优势。

On October 9th， according to a report from Kuaitech， just six months after the unveiling o…

三星电子，AI存储新赛道！HBM加速，性能巨兽蓄势待发 近年来，人工智能（AI）的飞速发展，如同投入平静湖面的巨石，激起了层层涟漪。从深度学习模型的训练到推理，再到生成式AI的爆发…

AI浪潮下的硬核底座：三星电子HBF闪存，解锁算力新维度 随着人工智能的飞速发展，算力需求呈指数级增长，而驱动这股洪流的，除了强大的GPU，还有与之协同工作的存储技术。数据在AI模…

AI News9月29日报道，当前，内存和闪存芯片市场正经历重要的拐点。多家半导体制造商已发布公告，预示着价格将出现显著上涨，预计部分产品价格将上涨10%至30%，个别产品甚至可能…

As of September 26th， the increasing prices of storage chips have become a common topic. B…

三星在内存和闪存领域遭遇挑战。DRAM被SK海力士超越，HBM也落后。其第九代V9 QLC闪存因质量缺陷，量产推迟至2026年上半年。相形之下，SK海力士已率先量产300+层QLC闪存，并在性能上表现更优。QLC闪存对AI时代至关重要，三星的失利可能影响其营收和市场份额。

铠侠与闪迪联合推出的第九代BiCS 9闪存已开始出样。该闪存定位中端，注重性价比、性能与能效平衡，主攻企业级及AI应用。BiCS 9采用混合架构，并支持Toggle DDR 6.0接口，最高传输速度达3600MT/s，写入性能提升高达61%，能效提升36%。

Rain科技3月14日消息，近期，NAND闪存全面涨价的趋势日益明显。率先行动的是闪迪，宣布从4月1日起上调价格，涨幅超过10％，波及所有渠道和消费类产品。 紧随其后，美光也透露将…