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三星在内存和闪存领域遭遇挑战。DRAM被SK海力士超越，HBM也落后。其第九代V9 QLC闪存因质量缺陷，量产推迟至2026年上半年。相形之下，SK海力士已率先量产300+层QLC闪存，并在性能上表现更优。QLC闪存对AI时代至关重要，三星的失利可能影响其营收和市场份额。

铠侠与闪迪联合推出的第九代BiCS 9闪存已开始出样。该闪存定位中端，注重性价比、性能与能效平衡，主攻企业级及AI应用。BiCS 9采用混合架构，并支持Toggle DDR 6.0接口，最高传输速度达3600MT/s，写入性能提升高达61%，能效提升36%。

Rain科技3月14日消息，近期，NAND闪存全面涨价的趋势日益明显。率先行动的是闪迪，宣布从4月1日起上调价格，涨幅超过10％，波及所有渠道和消费类产品。 紧随其后，美光也透露将…

Rain科技8月9日消息，在FMS 2024峰会上，SK海力士展示了其最新的存储产品，包括尚未正式发布规范的UFS 4.1通用闪存。 据JEDEC固态技术协会官网信息，目前公布的最…

据Rain科技8月4日报道，SK海力士正在开发400层堆叠的NAND闪存，预计将于2025年投入大规模量产，这再次将他们推向了行业领先地位。 为了实现如此密集的堆叠，SK海力士使用…

Rain科技7月31日消息，美光科技宣布，其第九代（G9）TLC NAND技术的SSD已正式投入量产并开始大量出货，成为全球首家实现这一技术突破的公司。 美光G9 NAND传输速率…