据Rain科技8月4日报道，SK海力士正在开发400层堆叠的NAND闪存，预计将于2025年投入大规模量产，这再次将他们推向了行业领先地位。
为了实现如此密集的堆叠，SK海力士使用了4D NAND闪存和混合键合技术，也就是W2W（wafer-to-wafer）结构，将两块晶圆键合在一起。这种结构与目前将闪存单元置于外围驱动电路之上的PUC结构截然不同。
这涉及到了连接不同晶圆的各种材料和技术，包括抛光、蚀刻、沉淀、引线等各个阶段。与长江存储的晶栈结构颇为相似。
SK海力士早在去年8月就展示了321层堆叠闪存的样品，成为首家实现300层以上堆叠的厂商，并且采用了TLC技术。
其他厂商方面，三星已经量产290层闪存，并表示目标是在2030年实现1000层堆叠。美光也已将276层闪存投入实用。铠侠去年达到了218层，预计将在2027年达到1000层。而长江存储则没有公开相关信息。
总之，NAND闪存的堆叠层数不断提升，这将带来更高的存储密度，进而降低存储成本。这对于消费电子产品、数据中心等多个行业来说都是好消息。未来，随着技术的不断进步，我们可以期待更高的堆叠层数，以及更加高效、便宜的存储解决方案。
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