#SK海力士
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SK海力士本月两度起火,10分钟内扑灭,官方承诺加强防范
Rain科技6月12日消息,当地时间上午9时55分,SK海力士位于韩国清州第四园区的M15X工厂二楼燃气室突发火灾,这是该厂区本月发生的第二起火灾事故。 据报道,火情出现后厂区自动…
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SK海力士400层工艺遇阻,年底量产375层NAND
Rain科技6月11日消息,据行业媒体报道,SK海力士已成功完成375层NAND闪存的量产验证,目前正将清州M15工厂原有产线(此前支持176层、238层及321层产品)升级改造为…
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工厂突发大火,内存、SSD会涨价吗?SK海力士回应:生产未中断!
Rain科技6月2日消息,SK海力士旗下工厂突发大火的消息传出后,不少下游消费电子厂商和普通用户都第一时间发出疑问:这次意外事件会不会让内存、SSD的市场价格进一步走高?针对外界的…
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存储芯片抢人白热化:三星成海力士“黄埔军校”,200名核心工程师跳槽
Rain科技5月18日消息,AI存储芯片的暴利正在韩国半导体圈引发一场前所未有的人才争夺战。据报道,过去四个月已有约200名三星核心工程师跳槽至SK海力士。三星内部甚至出现了“海力…
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DRAM巨头联手涨价,翻倍接受才给货
三星电子和SK海力士计划在第二季度大幅上调DRAM价格,部分中小客户为确保供应,可能需接受价格翻倍以上的涨幅。DDR5颗粒价格也可能上涨40%。此轮涨价由供需缺口扩大和卖方市场驱动,大规模提价已不可避免。
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存储芯片供不应求,SK海力士预警全年涨价
SK海力士表示,全球存储器产业已转向卖方市场,AI需求爆发和供应端限制导致DRAM、NAND库存紧张。HBM产能已售罄,标准型DRAM短缺推升供应商议价权,长期合约谈判已开启。公司预计今年存储芯片价格将持续上涨,涨势贯穿全年。
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SK海力士LPDDR6提速至14.4Gbps,三星已涉足LPDDR6X
SK海力士将在ISSCC 2026大会上展示LPDDR6内存,单颗容量16Gb,数据传输率达14.4Gbps,采用1c DRAM工艺。三星已向高通提供LPDDR6X内存样品进行测试,预计2027年下半年商用,速度将进一步提升。
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SK海力士16Gb LPDDR6模块:14.4Gbps速率新标杆
SK海力士发布16Gb LPDDR6内存模块,采用1cnm工艺,传输速率高达14.4Gbps,是目前公开规格中最快的LPDDR6产品,专为端侧AI优化。三星也在推进LPDDR6布局,计划推出16Gb、12.8Gbps甚至14Gbps的模块,与SK海力士竞争。
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AI驱动竞争新格局:SK海力士年度利润首超三星
SK海力士凭借在AI芯片所需HBM领域的领先优势,预计2025年营业利润将首次超越三星电子。尽管三星在第四季度存储芯片收入排名回升,SK海力士在HBM市场仍占据主导地位,并已拿下英伟达大部分新订单。竞争虽日趋激烈,但分析师普遍认为SK海力士将在HBM4市场继续保持领先。
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韩国股市新年首秀:三星、SK海力士领涨创新高
1月2日,韩国Kospi股指在2026年首个交易日首次突破4300点,创历史新高,主要受半导体股强劲上涨驱动。三星电子和SK海力士双双创下历史新高,预示着人工智能芯片市场竞争升级, keduanya 预计将引领内存半导体产业新阶段。