#SK海力士

三星电子和SK海力士计划在第二季度大幅上调DRAM价格，部分中小客户为确保供应，可能需接受价格翻倍以上的涨幅。DDR5颗粒价格也可能上涨40%。此轮涨价由供需缺口扩大和卖方市场驱动，大规模提价已不可避免。

SK海力士表示，全球存储器产业已转向卖方市场，AI需求爆发和供应端限制导致DRAM、NAND库存紧张。HBM产能已售罄，标准型DRAM短缺推升供应商议价权，长期合约谈判已开启。公司预计今年存储芯片价格将持续上涨，涨势贯穿全年。

SK海力士将在ISSCC 2026大会上展示LPDDR6内存，单颗容量16Gb，数据传输率达14.4Gbps，采用1c DRAM工艺。三星已向高通提供LPDDR6X内存样品进行测试，预计2027年下半年商用，速度将进一步提升。

SK海力士发布16Gb LPDDR6内存模块，采用1cnm工艺，传输速率高达14.4Gbps，是目前公开规格中最快的LPDDR6产品，专为端侧AI优化。三星也在推进LPDDR6布局，计划推出16Gb、12.8Gbps甚至14Gbps的模块，与SK海力士竞争。

SK海力士凭借在AI芯片所需HBM领域的领先优势，预计2025年营业利润将首次超越三星电子。尽管三星在第四季度存储芯片收入排名回升，SK海力士在HBM市场仍占据主导地位，并已拿下英伟达大部分新订单。竞争虽日趋激烈，但分析师普遍认为SK海力士将在HBM4市场继续保持领先。

1月2日，韩国Kospi股指在2026年首个交易日首次突破4300点，创历史新高，主要受半导体股强劲上涨驱动。三星电子和SK海力士双双创下历史新高，预示着人工智能芯片市场竞争升级， keduanya 预计将引领内存半导体产业新阶段。

英伟达、SK海力士与群联电子合作研发AI专用固态硬盘（AI SSD），效能将达现有AI服务器SSD的10倍以上。该AI SSD被定位为“类内存层”，以应对AI模型参数调取的低延迟、高吞吐需求。SK海力士最快2025年底展示原型，2027年前后商用。AI SSD的规模部署可能导致NAND市场供应紧张。

SK海力士在SC25超算大会上展示了多款新一代DDR5内存，包括采用1cnm工艺的64GB RDIMM，以及96GB 1bnm RDIMM。特别引人注目的是3DS DDR5 RDIMM和DDR5 Tall MRDIMM，均可达256GB单条容量，前者专为AI优化，后者适合高性能机架，最大速率达12800Mbps。

三星、SK海力士和美光三大存储巨头透露，其下一代高带宽内存（HBM）明年产能几乎售罄。尽管已大幅提高产能，但客户需求仍远超供应。三星HBM4明年的产量已全部售罄，并考虑进一步扩大产能。SK海力士HBM3E及更高版本销售强劲，明年HBM供应谈判已完成，HBM4计划明年全面扩大销售。美光明年HBM订单也接近售罄，并正与客户洽谈2026年HBM供应，显示出HBM市场的严重短缺和利润率提升。

SK海力士Q3业绩狂飙，HBM4蓄势待发，AI浪潮下的内存巨头新篇章 AI的火，越烧越旺，而这场狂欢的背后，离不开那些默默支撑的“硬核”力量。近日，半导体巨头SK海力士交出了一份亮…