Rain科技7月28日消息，铠侠（原东芝闪存业务）与闪迪（原西部数据闪存业务）联合宣布，其第九代BiCS 9闪存技术已开始向客户寄送样品以供评估。
BiCS 9闪存的定位介于当前主流的第八代BiCS 8和未来规划的第十代BiCS 10之间。与BiCS 10追求极致技术突破、堆叠至332层不同，BiCS 9更侧重于在性能和能效方面实现均衡，并通过充分利用成熟的工艺与技术，主要面向企业级市场及人工智能（AI）应用场景。预计BiCS 9和BiCS 10未来将并行发展，各自服务于不同的市场需求，而非相互替代的关系。
BiCS 9采用了混合架构设计，即分别制造独立的CMOS控制电路晶圆和NAND闪存阵列晶圆，然后通过键合技术将两者结合，形成一个高度集成的、高性能的单一封装。这种设计方案与长江存储的技术路径相似，旨在优化整体性能表现。
在技术层面，BiCS 9在第五代BiCS 5（112层）和第八代BiCS 8（218层）的基础上进行了关键升级。最显著的改进之一是采用了更先进的I/O接口，特别是对Toggle DDR 6.0标准的支持，这使得其最高传输速度达到了3600MT/s，在特殊优化测试环境下，峰值速度甚至可以达到4800MT/s。这一速度提升对于需要高带宽和低延迟的应用至关重要，例如高性能服务器和AI训练/推理场景。
相较于上一代的512GB TLC闪存产品，BiCS 9在多个维度上实现了全面的性能提升：
- 写入性能提升幅度最高可达61%，同时能效也提升了约36%。
- 读取性能提升幅度最高为12%，能效提升了约27%。
- 此外，存储密度方面也实现了8%的密度提升，这意味着在同等物理空间内可以存储更多数据，有助于提高存储系统的整体效率和降低单位存储成本。
这些性能和能效的显著提升，将有助于驱动企业级存储解决方案的升级，并为AI等快速发展的数据密集型应用提供更强大的支持。
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