Rain科技6月11日消息，据行业媒体报道，SK海力士已成功完成375层NAND闪存的量产验证，目前正将清州M15工厂原有产线（此前支持176层、238层及321层产品）升级改造为375层产品专用产线，计划于2026年底前实现大规模量产。
该产品最初规划为400层架构，但受限于超高堆叠层数的量产工艺瓶颈，最终被迫调整为375层。业内人士透露，后续SK海力士将依次推出480层、604层产品，以持续提升存储密度。
为弥补层数折损带来的性能影响，375层产品首次在字线金属栅极中以钼（Mo）部分替代传统钨（W）材料。
这是由于超高堆叠导致钨基字线电阻激增、信号延迟加重，且阻挡辅助层占用了宝贵的堆叠空间。钼凭借更低的电阻率以及无需阻挡层的优势，能同步提升NAND闪存的读写性能与存储密度。
钼前驱体在常温下为固态，对制程管控提出了极高要求。SK海力士在评估了泛林集团（Lam Research）与东京电子（TEL）的设备后，最终选定了后者的炉式沉积系统。
该方案一次可处理约100片晶圆，在设备成本、场地占用及物料消耗方面均展现出明显优势。
需要指出的是，三星电子已于2024年4月量产第九代286层V-NAND时，便将钼应用于金属布线环节。从技术路线来看，三星在钼材料的应用上更早布局，而SK海力士此次在375层产品中引入钼，更多是为了解决超高堆叠带来的电阻问题。两家巨头的竞争正从堆叠层数向材料创新延伸。
三星规划中的第十代400层以上NAND亦将于2026年下半年推出，钼材料的应用范围正持续扩大。这预示着未来NAND闪存将不再单纯追求层数堆叠，而是更加注重材料科学与工艺制程的协同优化。从市场角度看，SK海力士若能在2026年底如期量产375层产品，将填补其在400层以上产品的空白，但面对三星更早的钼应用经验和更激进的层数规划，其面临的技术追赶压力依然不小。
