HBM4e
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HBM4E设计重塑:三星目标降低97%缺陷率
三星计划今年改进HBM供电传输架构,为HBM4E量产做准备。新设计通过分割和重新分配供电网络,解决HBM4E凸点数量增加带来的电流密度上升和电压压降问题。此举大幅降低金属电路缺陷率97%,电压压降改善41%,支持更高运行速度和可靠性。
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365TBHBM4e内存:2027年NV顶级GPU平台的价格挑战
内存价格恐难下降,预计2026年达到峰值,2027年维持高位,2028年继续上涨。主要原因是AI市场对HBM内存需求激增,内存厂商转而生产高利润的HBM,导致消费级内存供不应求。2027年NVIDIA新AI平台将消耗巨量HBM内存,加剧供应紧张。