Rain科技3月3日消息，据媒体报道，三星公司预计在今年率先推出经过改进的供电传输架构，为年内量产HBM4E（High Bandwidth Memory 4 Extended）做好技术准备。此次技术革新主要体现在对内部供电网络的结构性优化，通过分割与重新分配，旨在解决日益严峻的性能瓶颈问题。
随着新一代HBM（高带宽内存）技术不断向前发展，其内部的供电传输效率正逐渐成为制约整体性能的关键因素。构建一个既高效又布局合理的供电网络，已成为HBM技术下一阶段发展中一项至关重要的挑战。
根据三星公布的相关技术资料显示，从HBM4标准升级至HBM4E后，其核心组件供电凸点的数量将有所增加，从13682个上升至14457个。这意味着在有限的芯片空间内，需要实现更为密集和精细的电路布线，这对设计和制造工艺提出了更高的要求。
这种密度的增加势必会导致单位面积内的电流密度和电阻值上升。随之而来的一个直接后果是，电压在传输过程中会发生更明显的压降现象，即电压随传输距离的增加而衰减。这种由电阻产生的热量会进一步推高电阻值，形成一个恶性循环，最终可能导致芯片性能下降，甚至引发电路故障。
三星方面也坦承，当前的HBM设计在结构上存在一些固有的短板，包括布线过程的复杂性以及电路布局的高度集中化，这都为优化供电效率带来了挑战。
为了有效应对这些挑战，三星提出了一种创新的供电网络分割方案。该方案核心在于拆分原有的供电模块，并采用分层布局的上层走线设计，从而构建出更为直接、高效的电路路径。这种设计能够最大程度地减少电流从供电凸点到达实际用电端的过程中不必要的迂回，从而降低传输损耗。
三星公司表示，采用这种新的供电网络设计后，HBM4E在金属电路方面的缺陷率相比HBM4降低了97%。同时，电压压降问题得到了显著改善，幅度高达41%。这些优化不仅能够支持更高的运行速度，对提升整个芯片的稳定性和可靠性也具有重要意义。
