英特尔在2024年IEEE国际电子器件会议（IEDM 2024）上发布了一系列代工技术突破，为半导体产业发展注入了新的动力。这些创新涵盖了新材料、先进封装和晶体管微缩等多个关键领域，展示了英特尔在摩尔定律延续方面的持续努力。
在材料方面，英特尔重点介绍了其减成法钌互连技术。这项技术通过创新工艺显著降低了线间电容，最高可达25%，从而提升了芯片内部互连速度和效率。此举能够有效改善芯片性能，尤其对于高性能计算和人工智能应用至关重要。这一成果的取得，体现了英特尔在新材料研发方面的实力。
英特尔还展示了其在先进封装领域的突破——选择性层转移（SLT）异构集成解决方案。SLT技术能够将封装吞吐量提升高达100倍，这意味着芯片组装速度的大幅提升，为高密度、高性能芯片的制造提供了强有力的支持。这对于未来需要更高集成度的系统，例如高性能计算服务器和人工智能加速器，都具有重要意义。
在晶体管微缩技术方面，英特尔展示了基于硅基RibbionFET CMOS技术和针对2D场效应晶体管（2D FETs）的栅氧化层模块。这些技术进步将进一步推动全环绕栅极（GAA）技术的微缩，最终提升晶体管的性能和能量效率。这为延续摩尔定律，持续提升芯片性能提供了关键的技术支撑。
展望未来，英特尔在IEDM 2024上阐述了其对先进封装和晶体管微缩技术发展方向的理解。为了满足包括人工智能在内的众多应用需求，英特尔强调了三大关键技术：先进内存集成、混合键合优化互连带宽以及模块化系统及其连接解决方案。这三大技术方向将协同作用，推动人工智能等领域在未来十年实现更高能效。
具体而言，先进内存集成旨在解决内存容量、带宽和延迟瓶颈，为人工智能应用提供更高效的数据处理能力；混合键合技术则通过优化互连带宽，提升系统整体性能；而模块化系统及其连接解决方案，则为构建更灵活、可扩展的系统架构提供了一种新的思路，这对于应对未来数据中心的复杂需求至关重要。
