Rain科技12月12日消息，据韩国媒体报道，三星电子8层和12层堆叠HBM3E内存样品的性能未能达到英伟达的要求，这使得其今年内正式启动供应的可能性变得非常渺茫，实际供货预计将推迟至2025年。
报道指出，三星电子自2023年10月起便开始向英伟达提供HBM3E内存的质量测试样品，但在一年多的时间里，认证流程并未取得明显进展。这一延误引发了业界广泛关注，也凸显出HBM3E内存技术的高门槛和对性能的极致要求。
消息人士透露，SK海力士在HBM3E技术上的领先地位，实际上已经为这一内存设定了性能参数标准。三星电子的HBM3E在发热和功耗等关键性能参数上未能满足英伟达的严格要求，这可能是导致供应延迟的主要原因。英伟达作为全球高端GPU市场的领导者，对内存性能的要求自然非常苛刻，任何细微的差距都可能影响其产品最终的性能表现。
SK海力士在HBM3E上使用了批量回流模制底部填充MR-RUF键合技术，而三星电子与美光则采用的是TC-NCF热压非导电薄膜技术。这两种技术的差异可能导致了性能上的差异，也反映出HBM3E内存制造技术的复杂性和多样性。不同的技术路线各有优劣，未来哪种技术会最终胜出，还需要时间的检验。
尽管三星电子在全球HBM和NAND市场中曾占据领导地位，但目前看来，其在HBM3E领域的竞争中已落后于竞争对手SK海力士。这提醒我们，技术发展日新月异，即使是行业巨头，也需要不断创新和改进，才能保持竞争优势。HBM3E作为高端市场的关键组件，其技术竞争也变得愈发激烈。
三星电子仍计划在2025年第一季度开始向英伟达等大客户供应HBM3E，并期望通过下一代HBM4工艺获得竞争优势。这显示出三星电子并没有放弃HBM3E市场，而是将目光投向了未来的HBM4技术，试图通过技术迭代来弥补当前的差距。HBM4的技术突破将成为未来竞争的关键。
