SK海力士HBM4成功开发并建立量产体系,性能能效双提升助力AI发展

在生成式AI浪潮汹涌而来的当下,对算力的需求犹如渴求甘霖的土地,永无止境。而支撑这股算力洪流的基石,便是性能卓越、能效比优异的存储技术。近日,SK海力士(SK Hynix)高调宣布,其新一代高带宽存储器HBM4(High Bandwidth Memory 4)研发告捷,并已同步建立起全球量产体系。此举不仅是SK海力士在AI存储领域的一次重磅升级,更是为整个AI算力生态系统注入了一支强心剂。在全球范围内,对于能够驱动更强大AI模型的硬件解决方案的争夺正愈发激烈,HBM4的出现,无疑将这一赛道的竞争推向了新的高度。

SK海力士HBM4成功开发并建立量产体系,性能能效双提升助力AI发展

SK海力士方面表示,HBM4的成功研发,是站在前代产品稳固根基上的飞跃。此次革新,在提供翻倍数据传输通道(从1024条增至2048条)的同时,实现了高达一倍的带宽提升。更值得关注的是,其能效比较前代产品实现了超过40%的显著进步。这意味着,HBM4不仅能让AI系统的数据处理速度飙升,更能以更低的功耗完成任务。根据初步测试数据,搭载HBM4的AI系统,其性能峰值提升高达69%,同时对数据中心能源消耗的“瘦身”效果也同样惊人。在AI时代,能耗一直是制约算力规模化部署的严峻挑战,HBM4的出现,无疑为绿色AI计算描绘了更为光明的蓝图。

在技术攻坚上,SK海力士此次采用了其最为精尖的第五代10纳米级(1b)DRAM工艺。而其独创的改进版批量回流模制底部填充(MR-MUF)技术,更是本次HBM4量产体系得以建立的关键。这项技术通过在芯片堆叠过程中注入并固化特制的液态保护材料,将繁琐的生产环节极致简化,并有效优化了散热性能。相较于传统的薄膜填充方式,MR-MUF显著降低了芯片堆叠时产生的物理应力,提升了芯片的翘曲控制能力,为实现大规模、高良率的稳定量产铺平了道路。

SK海力士HBM开发部门副社长赵珠焕在谈及此次成果时,将其视为行业发展的一个重要里程碑。他强调,公司始终致力于通过提供性能、能效与可靠性兼备的产品,来巩固其在AI存储市场的领先地位,并不断加速产品的上市进程。随着AI应用的深度和广度不断拓展,市场对数据处理速度和能效的要求只会愈发苛刻,而HBM4正是满足这些“挑剔”需求的当仁不让的核心解决方案。

尤为引人注目的是,HBM4的运行速度已经突破了JEDEC(固态技术协会)标准的8Gbps上限,实现了每秒10千兆比特(10Gbps)以上的惊人速度。这一性能上的跃迁,意味着HBM4将能更从容地应对高强度的AI计算任务,为大规模模型的训练与推理提供前所未有的高效存储支持。SK海力士预测,HBM4的全面普及,必将驱动AI服务性能再上新台阶,同时,也为降低AI运营的整体成本提供了切实可行的途径。

SK海力士HBM4成功开发并建立量产体系,性能能效双提升助力AI发展

SK海力士AI基础设施部门首席营销官金柱善在采访中表示,HBM4的量产不仅仅是技术上的突破,更是应对AI时代关键挑战的战略性产品。他透露,公司正朝着成为“全方位AI存储供应商”的目标迈进,未来将通过持续的创新,提供覆盖AI应用全场景的存储解决方案。目前,HBM4已进入密集的产品验证阶段,预计很快便能实现规模化供应,为全球AI产业提供强劲的“芯”动力。

从行业观察者的角度审视,SK海力士的此次技术突破,无疑将深刻重塑当前高端存储市场的竞争版图。面对AI大模型参数量动辄以万亿计的趋势,对高带宽、低功耗存储器的需求正呈现出爆炸式增长。HBM4的适时推出,恰好能够满足数据中心运营商在提升算力效率与控制运营成本之间的双重诉求,无疑为AI技术的更广泛普及和深入发展奠定了坚实的硬件基础。

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