Rain科技12月3日消息，据媒体报道，三星正在调整其DRAM制造策略，计划将原用于生产HBM3E内存的1a nm制程通用DRAM产能削减30%至40%。
随后，三星将通过制程转换，扩大适用于标准内存产品（如DDR5、LPDDR5x）的1b nm制程产能，以实现整体获利的最大化。
当前，由于人工智能（AI）需求的爆发以及HBM（高带宽内存）产品占据了核心的制造产能，而短期内产能的扩展幅度有限，导致DDR5、LPDDR5x和GDDR7等通用内存产品的价格近期快速飙升。
对于三星而言，目前的1b nm制程晶圆产能，在获利能力上已经超越了传统上认为因HBM高价而受益的1a nm制程。
尽管三星最终成功成为NVIDIA的HBM3E供应商，但其供货规模相对受到一定限制。此外，值得注意的是，三星HBM3E的平均售价本身就比竞争对手SK海力士低了约三成。
基于以上因素，市场分析认为，如果三星能够成功将1a nm制程中30%至40%的产能，以及1z nm等更成熟制程的产能转换至1b nm制程，那么1b nm制程的月投片量有望额外增加8万片晶圆。此举预计将为三星的整体盈利带来显著的提升。
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