美光:增产难解过半DRAM供需缺口

美光首财季营收超预期,DRAM和NAND创历史新高,AI需求强劲。尽管大力扩产,包括新建晶圆厂,美光CEO仍预计2026年后DRAM供应短缺将持续,且产能扩张也仅能满足核心客户一半至三分之二的需求。

Rain科技12月18日报道,存储巨头美光在宣布调整旗下英睿达(Crucial)品牌消费级业务战略后,公布了其2026财年第一季度财务报告。尽管DRAM和NAND(闪存)的营收双双创下历史新高,但公司CEO Sanjay Mehrotra再次明确表示,DRAM市场的供应短缺状况预计将至少持续到2026年以后,这一情况对整个行业都提出了严峻的挑战。

从财报数据来看,美光在本季度实现了高达136.4亿美元的营收,同比惊人地增长了57%。这一亮眼的业绩表现,主要归功于人工智能(AI)数据中心对高性能存储解决方案的旺盛需求,以及持续走高的市场价格。AI应用的爆发式增长,直接带动了对高带宽、低延迟内存的需求,而美光作为重要的存储芯片供应商,自然成为了受益者。

其中,高带宽内存(HBM)被认为是推动美光营收增长的关键因素之一。美光预计其HBM业务将实现“强劲增长”,并预测到2028年,仅HBM这一细分市场的总规模就将达到1000亿美元,这一数字甚至将超过2024年整个DRAM市场的销售额。这表明HBM正迅速崛起,成为未来存储技术发展的重要方向。

为了应对当前市场中普遍存在的、严重的供需失衡状况,美光正积极采取扩产措施。公司在爱达荷州的两座新晶圆厂预计将在2027年年中投入生产。此外,位于纽约的新工厂计划于2026年初动工建设,但要真正形成规模化产能,则需要等到2030年。这些大规模的投资计划,体现了美光试图缓解供应压力的决心,但同时也意味着新的产能释放需要相当长的时间周期。

然而,即便是这些雄心勃勃的投资项目全部落地并开始贡献产能,美光也坦言“感到失望”。公司预计,在未来几年的产能扩张之后,也仅能满足其核心客户约“二分之一到三分之二”的DRAM需求。这意味着,即使是最乐观的估计,市场对DRAM的供应缺口依然存在,短期内难以完全填补。这种预期可能导致市场对DRAM价格的支撑进一步加强,并对下游的电子产品制造产生影响。

Sanjay Mehrotra还指出,客户方面“对长期的内存供应感到担忧”,因此许多客户正在积极排队,寻求与美光签署为期数年的长期供应协议,以此来确保未来产品的稳定供应。这种局面反映出市场对DRAM供应不确定性的担忧,也促使厂商提前锁定供应源,以应对潜在的供应风险。

放弃英睿达仍不够 美光:增产也只能满足一半DRAM需求!

免责声明:本网站内容主要来自原创、合作伙伴供稿和第三方自媒体作者投稿,凡在本网站出现的信息,均仅供参考。本网站将尽力确保所提供信息的准确性及可靠性,但不保证有关资料的准确性及可靠性,读者在使用前请进一步核实,并对任何自主决定的行为负责。本网站对有关资料所引致的错误、不确或遗漏,概不负任何法律责任。任何单位或个人认为本网站中的网页或链接内容可能涉嫌侵犯其知识产权或存在不实内容时,可联系本站进行审核删除。
(0)
Rain科技Rain科技
上一篇 2025年 12月 18日 上午10:03
下一篇 2025年 12月 18日 上午11:37

相关推荐

发表回复

您的邮箱地址不会被公开。 必填项已用 * 标注

欢迎来到AI快讯网,开启AI资讯新时代!