Intel重拾40年前老路,研发下一代内存ZAM,4年后量产

英特尔携手软银研发下一代内存ZAM,有望实现AI和高性能计算的低成本、大容量、高带宽需求。该技术基于英特尔下一代内存键合计划NGDB,目标在2029财年实现量产。ZAM内存或为HBM技术的低成本演进版,可能继承傲腾内存的优点,以满足AI数据中心的发展需求。

据Rain科技2月3日消息,英特尔,这家以内存业务起家的公司,在40多年前因日本厂商的激烈竞争而被迫转向CPU的研发与生产,如今却似乎有意重拾旧业,正与软银携手,共同研发下一代内存技术,名为ZAM。

双方联合发布的公告显示,英特尔将与软银旗下的子公司SAIMEMORY紧密合作,共同推动下一代内存技术的商业化进程。该技术将基于英特尔下一代内存键合计划(NGDB)所验证的新一代内存基础技术和知识进行开发。值得注意的是,该计划也获得了美国能源部旗下三大国家实验室——桑迪亚、劳伦斯·利弗莫尔和洛斯阿拉莫斯——在AMT先进存储技术计划方面的支持,这无疑为新技术的研发注入了强大的科研力量和国家级背书。

双方设定的目标清晰且富有野心:在截至2028年3月31日的2027财年内,成功研发出名为Z-Angle Memory(简称ZAM)的内存原型。更进一步,他们计划在2029财年(即2030年3月31日截止)实现该技术的量产,这意味着我们距离见到这款新型内存产品还有大约四年的时间。

目前,ZAM内存的具体技术指标尚未对外公布。然而,从其定位来看,这款新一代内存将主攻AI和高性能计算(HPC)市场。这类市场对内存的容量和带宽有着极高的需求,同时,为了满足AI数据中心在训练和推理过程中对低功耗的需求,ZAM内存不仅需要具备强大的性能,更要注重能效比的提升。

结合当前的技术发展趋势,我们可以合理推测,ZAM内存可能是在现有HBM(高带宽内存)技术基础上的某种低成本、更高容量的实现方式,并且在功耗控制上将有更出色的表现。这对于大规模部署AI算力的数据中心而言,将具有重大的经济效益和实际应用价值。

回顾英特尔近期放弃的傲腾(Optane)内存技术,无疑是一个令人惋惜的案例。傲腾内存曾试图在内存和闪存之间找到一个性能平衡点,但过高的成本导致英特尔和美光最终选择了放弃。然而,在当前蓬勃发展的AI时代,傲腾内存那种融合了内存和闪存优势的技术,反而显露出其潜在的应用价值。因此,不排除此次的ZAM内存,可能就是傲腾技术的一种演进或借鉴,汲取了其经验教训,并在新一代技术浪潮中找到了新的突破口。

英特尔重拾旧业:研发下一代内存ZAM,预计四年后量产

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