北大突破:手机超长待机科技

北京大学邱晨光研究员—彭练矛院士团队成功研制出“纳米栅超低功耗铁电晶体管”,将晶体管栅极缩小至1纳米,电压效率提升125%,实现超低功耗高效数据处理。该技术突破有望应用于手机、自动驾驶等领域,大幅提升续航与计算能力。

2月16日消息,据媒体报道,北京大学电子学院邱晨光研究员与彭练矛院士团队取得了一项重要的技术突破。他们成功研制出一种新型的“纳米栅超低功耗铁电晶体管”,这一研究成果已在国际知名的学术期刊《科学·进展》上发表。

当前,计算机和智能手机的处理器在进行数据处理时,普遍采用的是“冯·诺依曼架构”,即数据的存储和计算是分离的。这意味着数据需要在这两部分之间频繁地来回传输,这一过程不仅耗时,而且消耗大量电能。这种设计仿佛厨师在烹饪时,每加入一次调料就需要折返回仓库取用,极大地浪费了时间和体能。

为了克服传统架构的局限,铁电晶体管的概念应运而生。它能够实现“存算一体”的功能,即在存储数据的同时进行计算,并且即使在断电后,存储的信息也不会丢失。然而,铁电晶体管长期以来面临的一个显著难题是其较高的工作电压,这直接导致了巨大的功耗,使其在实际应用中受到很大限制。

此次,研究团队通过将晶体管的关键组件——栅极的尺寸缩小至1纳米,显著提升了电压效率,达到了125%。这一突破使得在极低的功耗水平下实现高效的数据存储成为可能。

这项技术的未来应用前景广阔。一旦走向实用化,搭载这种新型芯片的智能手机、可穿戴设备、自动驾驶系统以及云端服务器,都将能够以极其节省电能的方式完成海量计算和存储任务。这将为相关行业的发展开启全新的可能性,有望在能源效率和设备续航方面带来颠覆性的改进。

北大研究团队带来重磅技术突破:手机有望实现超长待机

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