晶体管
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北大突破:手机超长待机科技
北京大学邱晨光研究员—彭练矛院士团队成功研制出“纳米栅超低功耗铁电晶体管”,将晶体管栅极缩小至1纳米,电压效率提升125%,实现超低功耗高效数据处理。该技术突破有望应用于手机、自动驾驶等领域,大幅提升续航与计算能力。
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台积电2nm:12年来首次晶体管架构升级,牵手2D/1D新材料
台积电2nm工艺已量产,采用GAA晶体管架构,这是12年来首次升级。预计年内产能大幅提升,下代iPhone、骁龙、天玑芯片将采用。未来1.6nm工艺将引入背面供电,1.4nm继续改进。台积电还在探索2D、1D材料,为1nm及以下工艺做准备。