Rain科技1月10日报道，台积电在去年底已按计划宣布其2纳米（2nm）工艺实现量产，这一工艺技术预计将成为今年的重头戏。首批搭载该先进工艺的将是AMD的EPYC Venice（霄龙热那瓦）处理器。
紧随其后，苹果iPhone 18系列将搭载的A20芯片、高通骁龙8E6 Pro以及联发科天玑9600等下一代旗舰芯片，也将采用台积电的2nm工艺。为满足日益增长的市场需求，台积电计划在一年内将其2nm产能从每月3.5万片晶圆大幅提升至14万片，以期将其打造成公司营收的重要支柱之一。
2nm工艺的引入，在台积电的工艺研发历程中具有里程碑式的意义。这是公司历史上第二次对其核心的晶体管架构进行颠覆性升级，正式转向了GAA（Gate-All-Around，全环绕栅极）晶体管架构。这一技术革新预示着半导体制造正在进入一个全新阶段。
回顾台积电的工艺演进史，上一次重大的晶体管架构变革发生在2014年，标志性的16纳米（16nm）工艺首次实现了从平面晶体管向FinFET（鳍式场效应晶体管）这一3D晶体管结构的飞跃。FinFET的引入，极大地提升了晶体管的性能和能效，为移动计算的蓬勃发展奠定了基础。
提及晶体管技术的演变，令人不禁联想到十几年前的半导体行业的格局。彼时，英特尔曾自信地宣称其工艺技术领先友商三年半，这一说法并非空穴来风。早在2011年，英特尔便已实现22纳米3D晶体管工艺的量产，并在其2012年的IVB（Ivy Bridge）处理器上正式应用。与此同时，台积电和三星等同行当时仍以28纳米工艺为主流，技术差距远大于当前台积电在先进工艺上对英特尔的相对优势。
如今，半导体行业的竞争格局已悄然改变。台积电在先进工艺节点上展现出“稳健推进、快速量产”的特点，并在2nm工艺上仅进行了GAA晶体管架构的升级。面向未来，台积电规划中的1.6纳米（1.6nm）A16工艺将进一步引入背面供电（Backside Power Delivery）技术。此举旨在进一步克服物理极限，提升芯片的集成密度和性能表现，尤其对高性能计算（HPC）类产品而言，将带来显著的性能飞跃。
在A16工艺之后，台积电还将继续推进1.4纳米（1.4nm）级别的A14工艺。该工艺将继续深化对GAA架构的改进，并结合背面供电技术，以期在性能和效率上取得更佳的平衡。
而更长远的未来，1纳米（1nm）节点的突破将是行业的终极目标之一。目前，尚无任何厂商能够明确宣布1nm及以下工艺的量产时间表，这些技术仍处于积极的研发阶段。届时，晶体管结构可能再次迎来颠覆性升级，例如向CFET（Complementary Field-Effect Transistor，互补场效应晶体管）演进，以实现更高的集成度和更小的尺寸。
与此同时，半导体材料也在持续不断地进化。台积电已经开始探索2D材料甚至1D材料的应用潜力。这些新型材料的引入，有望为克服晶体管尺寸缩小所带来的物理挑战提供新的解决方案，打开半导体技术发展的新思路。
需要指出的是，台积电目前提及的诸如2D、1D材料等前瞻性技术，仍处于概念探索阶段，尚未进入实质性的研发落地。因此，未来1nm及以下工艺的量产时间、最终性能表现以及具体技术路径，都存在极大的不确定性，过早地对其进行预测尚为时过早。
