半导体

受中东地缘冲突影响，以色列高塔半导体生产出货受阻，大客户纷纷转单。凭借技术高度匹配，世界先进和力积电成为核心承接方，订单量显著攀升。台积电逐步淡出成熟制程，引导客户转向技术雷同度最高的世界先进，力积电订单也明显增温。

内存厂商因AI需求迎来巨额利润，SK海力士利润预期飙升。然而，SK集团董事长崔泰元警告AI需求具有不确定性，可能导致巨额亏损。三大巨头因此谨慎增产，担忧AI泡沫破裂。国产内存厂商的加入预示着未来市场格局可能改变。

SK海力士表示，全球存储器产业已转向卖方市场，AI需求爆发和供应端限制导致DRAM、NAND库存紧张。HBM产能已售罄，标准型DRAM短缺推升供应商议价权，长期合约谈判已开启。公司预计今年存储芯片价格将持续上涨，涨势贯穿全年。

日本Rapidus公司正加速推进2nm制程量产计划，目标2028年实现全面量产，2027年初月产能6000片，2028年增至2.5万片。其2nm工艺“2HP”逻辑密度与台积电N2相当。Rapidus由八家日本企业合资成立，致力于本土先进半导体制造。

SK海力士凭借在AI芯片所需HBM领域的领先优势，预计2025年营业利润将首次超越三星电子。尽管三星在第四季度存储芯片收入排名回升，SK海力士在HBM市场仍占据主导地位，并已拿下英伟达大部分新订单。竞争虽日趋激烈，但分析师普遍认为SK海力士将在HBM4市场继续保持领先。

AI代理应用激增，对内存需求结构性转变。AMD和高通正评估在AI产品中引入SOCAMM内存模块。SOCAMM模块化设计，可实现TB级内存容量，支持AI agent维持大量token活跃状态。相较NVIDIA，AMD和高通可能在SOCAMM模块设计上整合PMIC。SOCAMM有望成为AI系统重要内存配置。

台积电2nm工艺已量产，采用GAA晶体管架构，这是12年来首次升级。预计年内产能大幅提升，下代iPhone、骁龙、天玑芯片将采用。未来1.6nm工艺将引入背面供电，1.4nm继续改进。台积电还在探索2D、1D材料，为1nm及以下工艺做准备。

日本Rapidus公司计划于2027年量产2nm工艺，为实现这一目标，该公司将在今年春季启动后端工艺试产，包括芯片封装和PCB组装。此举旨在建立完整的产业链，克服当前日本在先进封装测试方面的短板。尽管技术和资金获得支持，但Rapidus的商业模式和市场需求仍是其能否成功的关键挑战。

Intel即将推出的Panther Lake处理器将采用18A工艺，这是其包含RibbonFET和PowerVia技术的新一代工艺。 为支持18A及未来14A工艺，Intel斥巨资购置至少6-7台售价高达28亿元的High NA EUV光刻机，并已投入巨量晶圆生产，此举或为抢占技术先机，打对手措手不及。

台积电日本熊本二期工厂原计划生产6/7nm芯片，因需求低迷已暂停。目前内部建议直接升级至2nm工艺，以吸引NVIDIA、AMD等AI客户，这将使日本获得全球最先进的半导体技术。