半导体

  • Rapidus 2nm制程:产能一年翻三倍

    日本Rapidus公司正加速推进2nm制程量产计划,目标2028年实现全面量产,2027年初月产能6000片,2028年增至2.5万片。其2nm工艺“2HP”逻辑密度与台积电N2相当。Rapidus由八家日本企业合资成立,致力于本土先进半导体制造。

    2026年 2月 13日
  • AI驱动竞争新格局:SK海力士年度利润首超三星

    SK海力士凭借在AI芯片所需HBM领域的领先优势,预计2025年营业利润将首次超越三星电子。尽管三星在第四季度存储芯片收入排名回升,SK海力士在HBM市场仍占据主导地位,并已拿下英伟达大部分新订单。竞争虽日趋激烈,但分析师普遍认为SK海力士将在HBM4市场继续保持领先。

    2026年 1月 29日
  • AMD、高通内存新玩家,SOCAMM不止NVIDIA

    AI代理应用激增,对内存需求结构性转变。AMD和高通正评估在AI产品中引入SOCAMM内存模块。SOCAMM模块化设计,可实现TB级内存容量,支持AI agent维持大量token活跃状态。相较NVIDIA,AMD和高通可能在SOCAMM模块设计上整合PMIC。SOCAMM有望成为AI系统重要内存配置。

    2026年 1月 29日
  • 台积电2nm:12年来首次晶体管架构升级,牵手2D/1D新材料

    台积电2nm工艺已量产,采用GAA晶体管架构,这是12年来首次升级。预计年内产能大幅提升,下代iPhone、骁龙、天玑芯片将采用。未来1.6nm工艺将引入背面供电,1.4nm继续改进。台积电还在探索2D、1D材料,为1nm及以下工艺做准备。

    2026年 1月 11日
  • 日本Rapidus纯国产2nm工艺今春试产后端

    日本Rapidus公司计划于2027年量产2nm工艺,为实现这一目标,该公司将在今年春季启动后端工艺试产,包括芯片封装和PCB组装。此举旨在建立完整的产业链,克服当前日本在先进封装测试方面的短板。尽管技术和资金获得支持,但Rapidus的商业模式和市场需求仍是其能否成功的关键挑战。

    2026年 1月 9日
  • Intel巨资购入的超级EUV光刻机:28亿天价的奢侈杀手锏

    Intel即将推出的Panther Lake处理器将采用18A工艺,这是其包含RibbonFET和PowerVia技术的新一代工艺。 为支持18A及未来14A工艺,Intel斥巨资购置至少6-7台售价高达28亿元的High NA EUV光刻机,并已投入巨量晶圆生产,此举或为抢占技术先机,打对手措手不及。

    2026年 1月 4日
  • 台积电日本工厂 4nm落后 2nm才是方向

    台积电日本熊本二期工厂原计划生产6/7nm芯片,因需求低迷已暂停。目前内部建议直接升级至2nm工艺,以吸引NVIDIA、AMD等AI客户,这将使日本获得全球最先进的半导体技术。

    2025年 12月 21日
  • 美国注资xLight,EUV技术获千瓦级突破,性能四倍于ASML

    美国商务部向EUV技术初创公司xLight投资1.5亿美元。xLight开发基于自由电子激光器的EUV光刻系统,原型2028年问世。其光源功率可达1000W,是ASML现有EUV光刻机的4倍,有望大幅提高芯片生产效率并降低成本,旨在重塑美国在下一代半导体技术领域的领导地位。

    2025年 12月 2日
  • 苹果、高通考虑英特尔先进封装,改变台积电唯一局面

    随着AI芯片需求激增,台积电CoWoS产能紧张。苹果、高通等科技巨头开始评估Intel的EMIB和Foveros等先进封装技术,寻求多元化供应,标志着先进封装市场将从依赖CoWoS走向“双供应模式”。

    2025年 11月 17日
  • 苏姿丰:2030年AI数据中心市场有望破万亿,未来五年营收年增超35%

    AMD CEO苏姿丰的远见:AI数据中心万亿级未来,五年冲刺35%营收高增长 在人工智能浪潮风起云涌的今天,算力成为了这场技术变革的核心驱动力。而AMD,作为全球领先的半导体巨头,…

    2025年 11月 12日