Rain科技12月2日消息，EUV（极紫外光刻）技术对于5nm以下的先进芯片制造工艺而言至关重要。目前，全球唯一能生产EUV光刻机的企业是荷兰的ASML。近期，美国在该领域加大了投资力度，官方直接注资了一家初创企业，旨在推动下一代EUV技术的发展。
这家名为xLight的公司，其核心目标是开发新一代EUV光源。与ASML目前采用的复杂等离子体技术不同，xLight计划基于自由电子激光器（FEL）技术来构建EUV光刻系统，并预计在2028年推出其原型机。
xLight公司在今年7月获得了4000万美元的投资。而近日，美国商务部下属的CHIPS研究与开发办公室（CRDO）向该公司注资了1.5亿美元。
美国商务部长对此表示，xLight的FEL平台代表着一项突破性创新，这将有助于美国恢复在该领域的领导地位，保障供应链安全，并确保下一代半导体技术在美国本土得以实现和发展。
值得注意的是，xLight公司的CEO是曾任Intel CEO的帕特·基辛格。他此前曾强调FEL激光器的重要性，并认为复兴摩尔定律和重塑美国在光源技术上的领导地位是一代人一次的机遇。在联邦政府的支持下，xLight有望将这一机遇变为现实。
xLight公司开发的FEL激光器相比现有EUV光刻机光源具有显著的功率优势。其宣称的功率可达1000W，而ASML的EUV光源目前水平约为250W。这意味着xLight的技术在功率上可能达到现有技术的四倍，甚至在未来的技术规划中，目标功率可能提升至2000W。
如此高的功率不仅有望大幅提升EUV光刻生产芯片的效率，而且一个FEL光源系统可能能够服务多台光刻机。同时，该光源被设计为具有长达30年的寿命，这将极大地降低芯片光刻环节的长期运营成本。
结合此前美国另一家EUV光源公司Substrate获得投资的消息，可以看出美国在下一代EUV技术领域正积极寻求重回领先地位的策略。需要指出的是，尽管当前ASML生产的EUV光刻机所使用的光源技术最初来源于美国公司Cymer（后被ASML收购），但美国政府如今通过投资初创企业，意在培育本土的下一代光源技术。
xLight的FEL技术路线以及Substrate可能采用的X光技术路线，与当前国内一些关于新型光刻机技术的讨论有相似之处。这些新技术路线通常拥有明显的优点，例如更高的精度或更大的功率，但普遍面临着巨大的工程化挑战。相较而言，ASML的EUV光刻机是目前市场上可量产且技术成熟的最佳解决方案。
