#工艺
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台积电2nm:12年来首次晶体管架构升级,牵手2D/1D新材料
台积电2nm工艺已量产,采用GAA晶体管架构,这是12年来首次升级。预计年内产能大幅提升,下代iPhone、骁龙、天玑芯片将采用。未来1.6nm工艺将引入背面供电,1.4nm继续改进。台积电还在探索2D、1D材料,为1nm及以下工艺做准备。
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日本Rapidus纯国产2nm工艺今春试产后端
日本Rapidus公司计划于2027年量产2nm工艺,为实现这一目标,该公司将在今年春季启动后端工艺试产,包括芯片封装和PCB组装。此举旨在建立完整的产业链,克服当前日本在先进封装测试方面的短板。尽管技术和资金获得支持,但Rapidus的商业模式和市场需求仍是其能否成功的关键挑战。
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玄武岩纤维“宣纸”问世,纹理媲美月球国旗
“绘画新材料——2025中国画名家邀请展”在武汉展出,展品全部采用源自嫦娥六号月面国旗玄武岩纤维的创新材料“玄纤纸”。此种纸张结合传统宣纸与玄武岩纤维,克服了传统宣纸易损、易燃等缺点,兼具轻盈、润墨性和耐久性,拓展了书画、古籍修复等领域应用前景。
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台积电台中新厂1.4nm工艺2028年量产,晶圆报价或涨50%
在摩尔定律的齿轮似乎渐趋减缓的当下,半导体行业的每一次技术跃进都牵动着全球科技的神经。而在这个领域,台积电(TSMC)无疑是那个最能定义未来方向的巨擘。近日,关于台积电最前沿的制程…
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TSMC A14 1.4nm Process to Mass Produce in 2028: NT$350 Billion Investment, Wafer Price Up to NT$320,000
According to reports on October 18, TSMC’s 2nm process node, N2, is nearing mass pro…
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台积电公布N2 2nm缺陷率:比3/5/7nm都要好
Rain科技4月26日消息,在近日举行的北美技术论坛上,台积电首次公开了其N2 2nm工艺的缺陷率(D0)情况,数据显示,N2工艺的初期缺陷率优于之前的7nm、5nm和3nm等工艺…
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Intel:18A工艺缺陷率低,潜在客户排队
Rain科技9月8日消息,英特尔日前宣布,18A 工艺(等效于 1.8 纳米)进展顺利且超过预期,Arrow Lake 处理器 20A 工艺(等效于 2 纳米)版本因此取消,改为外…