Rain科技8月5日消息，NAND闪存在进入3D堆叠时代之后，层数越高通常意味着存储密度更高，目前业界已实现400层以上的技术。不过，铠侠却选择了一条不同的路径——其332层的闪存密度达到了全球最高水平，这得益于其在单元结构设计上的独特优化。
铠侠的前身是日本东芝公司的闪存部门，也是NAND闪存技术的发明者。目前，铠侠与闪迪公司合作研发和生产闪存，其BiCS技术路线与三星、SK海力士、美光等厂商存在显著差异。长期以来，铠侠在容量密度指标上一直表现出色，这与其在电荷捕获型架构上的深耕有关。
当前，三星等公司正将闪存层数推向400层以上，而铠侠在此方面显得相对保守。最新的BiCS10代闪存仅做到332层，之前的版本也只有218层。在层数数字的竞争上，铠侠似乎处于劣势，但其宣传重点在于用较低的层数实现更强的性能。从技术经济性来看，低层数意味着更少的工艺步骤和潜在的成本优势，但也对单元间的串扰和可靠性提出了更高挑战。
根据铠侠之前公布的数据，其332层闪存的层数比竞争对手少了约23%，但GB成本却降低了不到10%，能效提升了10%以上，可靠性提升了35%以上。这些数字表明，铠侠在单元架构和工艺优化上取得了实质性突破，而非单纯依赖层数堆叠。
不过，关键的容量密度指标此前并未公开。在日前的FMS会议上，铠侠终于公布了相关数据：BiCS10的QLC闪存密度达到了37Gb/mm²，TLC闪存也达到了29Gb/mm²，均位居全球首位。这意味着即便在层数较低的情况下，铠侠仍能通过更紧凑的单元布局和更高的位线效率来实现密度领先。
相比之下，三星的V10代TLC闪存密度为28Gb/mm²，但其层数超过400层；SK海力士的Gen9代TLC和QLC密度分别为20Gb/mm²和21Gb/mm²，层数为276层和321层。可见，铠侠在密度上的优势并非仅仅依靠层数，而是涉及更底层的器件物理和制造工艺创新。
总之，铠侠新一代闪存在不盲目堆叠层数的情况下，实现了世界最高的存储密度。尽管使用QLC与友商的TLC进行对比在技术上并不完全对等，但即便将三星的密度推算到QLC水平，两者也大致持平。铠侠能够以更低的层数达到相似的密度，确实展现了其在技术路径选择上的独到之处。这一策略有助于降低生产成本，并可能延长现有制造设备的生命周期。
不过，也需要看到竞争态势：三星、SK海力士的300-400层闪存已经处于出货或试样阶段，而铠侠尚未完全发布新产品，量产时间也相对较晚。这意味着当友商的新一代产品正式上市后，密度差距很可能会缩小，铠侠的时间窗口有限。此外，层数优势不仅关乎密度，还影响到读写性能、功耗分布等综合表现，铠侠能否在后续迭代中保持竞争力，仍有待市场检验。
