#HBM

全球存储器供应持续短缺，韩国半导体巨头三星和SK海力士正加速产能布局，提前投产新工厂。尽管如此，市场需求远超供给，预计短缺将持续至2027年。高带宽存储器（HBM4）价格大幅上涨，有望带动两公司利润增长。美国美光科技也宣布在新加坡扩建工厂应对需求。

受AI数据中心建设热潮驱动，DRAM需求激增，但产能有限导致市场持续供不应求，价格飙升。主要原厂为最大化利益，将产能转向HBM，进一步加剧消费类DRAM紧缺。专家预测，除非AI领域出现重大崩盘，否则新增产能及技术需数年才能匹配需求，DRAM短缺和涨价态势恐延续至2028年，甚至更久。NAND Flash市场也面临类似困境，SSD价格飙涨，2026年可能翻倍。

SK海力士凭借在AI芯片所需HBM领域的领先优势，预计2025年营业利润将首次超越三星电子。尽管三星在第四季度存储芯片收入排名回升，SK海力士在HBM市场仍占据主导地位，并已拿下英伟达大部分新订单。竞争虽日趋激烈，但分析师普遍认为SK海力士将在HBM4市场继续保持领先。

日本电子巨头富士通联手Intel，利用超算项目需求，将投入5100万美元研发替代HBM的新型3D堆栈内存。该项目预计2027年春推出原型，2029年量产，内存容量将提升两三倍，功耗降低一半。台积电将参与制造。

谷歌TPU生态扩展正重塑HBM市场。三星通过与博通合作，预计主导谷歌TPU的HBM供应，有望借此扭转市场竞争态势。尽管SK海力士和美光也参与竞争，但三星凭借谷歌的订单，在2026年TPU大规模量产后将迎来重要增长机遇。

AI浪潮下的供给端变奏：服务器与HBM，谁是下一个爆点？ 当前，人工智能技术的井喷式发展，正以前所未有的速度重塑着产业格局。从生成式AI的火爆到大模型训练的常态化，算力需求呈指数级…

三星、SK海力士和美光三大存储巨头透露，其下一代高带宽内存（HBM）明年产能几乎售罄。尽管已大幅提高产能，但客户需求仍远超供应。三星HBM4明年的产量已全部售罄，并考虑进一步扩大产能。SK海力士HBM3E及更高版本销售强劲，明年HBM供应谈判已完成，HBM4计划明年全面扩大销售。美光明年HBM订单也接近售罄，并正与客户洽谈2026年HBM供应，显示出HBM市场的严重短缺和利润率提升。

三星在HBM内存市场落后于SK海力士和美光，但瞄准HBM4发起反攻。其HBM4采用最先进的第六代10nm级1c工艺，频率高达11Gbps，性能较标准版提升37.5%，有望赢得NVIDIA订单。

Rain科技6月16日消息，近日，韩国高级科学技术院(KAIST)与TB级互联与封装实验室(TERA)共同发布了对未来十年HBM高带宽内存和AI GPU加速卡发展趋势的预测，其大胆…