富士通与Intel合作,力争HBM替代品市场

日本电子巨头富士通联手Intel,利用超算项目需求,将投入5100万美元研发替代HBM的新型3D堆栈内存。该项目预计2027年春推出原型,2029年量产,内存容量将提升两三倍,功耗降低一半。台积电将参与制造。

Rain科技12月26日消息,高性能AI的飞速发展,使得HBM(高带宽内存)成为不可或缺的关键组件。目前,HBM的市场价值已迅速逼近甚至有望超越GPU本身,而这一高度集中的市场主要由韩国的三星和SK海力士两家公司主导。

纵观内存产业历史,日本曾是市场的领导者,其辉煌时期甚至迫使Intel退出内存领域,转而专注于CPU市场。然而,日本的内存产业最终被韩国公司超越。在尔必达破产之后,日本本土已 no 具备独立生产高性能内存的企业。

去年,软银与Intel合作,旨在研发新一代高性能内存技术。如今,日本电子巨头富士通也正式宣布加入这一联盟。富士通此举,与他们近期获得建造日本最强超级计算机的合同息息相关,这项合同预示着对高性能内存的巨大需求。

该项目预计在2027年春季完成,首期投入将达5100万美元,并计划制造出内存原型。到2029年,预计将实现大规模生产。除了富士通、Intel和软银三家公司将投入资金外,日本理化研究所(RIKEN)以及日本政府也将提供资金补贴,以支持该技术的研发。

虽然目前尚未公布该新型内存的具体技术规格,但其主要目标是成为HBM的替代品。根据初步预测,新型内存将在容量上实现两到三倍的提升,同时将功耗降低一半。这对于能源效率日益受到重视的AI计算领域而言,无疑是一个显著的进步。

台积电也将参与到这款新型内存的制造环节。该内存将主要采用3D堆栈架构,这种设计能够极大地提高存储密度,从而为高性能计算提供更强大的数据支持。

日本重新杀回内存市场 富士通联手Intel开发HBM替代品

免责声明:本网站内容主要来自原创、合作伙伴供稿和第三方自媒体作者投稿,凡在本网站出现的信息,均仅供参考。本网站将尽力确保所提供信息的准确性及可靠性,但不保证有关资料的准确性及可靠性,读者在使用前请进一步核实,并对任何自主决定的行为负责。本网站对有关资料所引致的错误、不确或遗漏,概不负任何法律责任。任何单位或个人认为本网站中的网页或链接内容可能涉嫌侵犯其知识产权或存在不实内容时,可联系本站进行审核删除。
(0)
Rain科技Rain科技
上一篇 2025年 12月 26日 下午9:09
下一篇 2025年 12月 26日 下午11:57

相关推荐

发表回复

您的邮箱地址不会被公开。 必填项已用 * 标注

欢迎来到AI快讯网,开启AI资讯新时代!