#HBM
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美光HBM月产能年底翻倍，HBM4占比五成
根据行业媒体报道，美光科技计划到2026年底将其高带宽内存（HBM）的月产能提升至约10万片晶圆，这一数字相比2025年每月约4万至5万片的水平接近翻倍。此举不仅有助于缓解全球HB…
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DRAM七连涨创新高，现在装机不划算
AI怪盗图9月3日消息，据报道，用于PC、游戏机、服务器的通用型号DDR5 16Gb规格产品在7月的大宗交易价格敲定为约40.2美元（约合人民币270元），环比上涨5%，价格连续7…
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长鑫全球首家量产LPDDR6，HBM3E试产
AI怪盗图9月1日消息，国产存储芯片制造商长鑫存储在一周之内，连续拿下LPDDR6、HBM3E两项重大突破。这一节奏在国产半导体领域相当少见，尤其是在国际存储巨头长期主导市场的背景…
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美禁令封堵HBM，长鑫转攻定制3D DRAM挑战韩系巨头
Rain科技7月25日消息，美国出口管制切断了长鑫存储获取HBM制造工具的渠道，使其在主流AI内存市场难以与三星、SK海力士直接竞争。面对这一困境，长鑫存储正转向定制化DRAM寻求…
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SK海力士本月两度起火，10分钟内扑灭，官方承诺加强防范
Rain科技6月12日消息，当地时间上午9时55分，SK海力士位于韩国清州第四园区的M15X工厂二楼燃气室突发火灾，这是该厂区本月发生的第二起火灾事故。 据报道，火情出现后厂区自动…
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HBM4价格大幅上涨，较上一代近三成
全球存储器供应持续短缺，韩国半导体巨头三星和SK海力士正加速产能布局，提前投产新工厂。尽管如此，市场需求远超供给，预计短缺将持续至2027年。高带宽存储器（HBM4）价格大幅上涨，有望带动两公司利润增长。美国美光科技也宣布在新加坡扩建工厂应对需求。
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DRAM缺货预计持续至2028年，价格或将飙升
受AI数据中心建设热潮驱动，DRAM需求激增，但产能有限导致市场持续供不应求，价格飙升。主要原厂为最大化利益，将产能转向HBM，进一步加剧消费类DRAM紧缺。专家预测，除非AI领域出现重大崩盘，否则新增产能及技术需数年才能匹配需求，DRAM短缺和涨价态势恐延续至2028年，甚至更久。NAND Flash市场也面临类似困境，SSD价格飙涨，2026年可能翻倍。
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AI驱动竞争新格局：SK海力士年度利润首超三星
SK海力士凭借在AI芯片所需HBM领域的领先优势，预计2025年营业利润将首次超越三星电子。尽管三星在第四季度存储芯片收入排名回升，SK海力士在HBM市场仍占据主导地位，并已拿下英伟达大部分新订单。竞争虽日趋激烈，但分析师普遍认为SK海力士将在HBM4市场继续保持领先。
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富士通与Intel合作，力争HBM替代品市场
日本电子巨头富士通联手Intel，利用超算项目需求，将投入5100万美元研发替代HBM的新型3D堆栈内存。该项目预计2027年春推出原型，2029年量产，内存容量将提升两三倍，功耗降低一半。台积电将参与制造。
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谷歌TPU扩张重塑HBM市场格局 三星迎新机遇
谷歌TPU生态扩展正重塑HBM市场。三星通过与博通合作，预计主导谷歌TPU的HBM供应，有望借此扭转市场竞争态势。尽管SK海力士和美光也参与竞争，但三星凭借谷歌的订单，在2026年TPU大规模量产后将迎来重要增长机遇。
