根据行业媒体报道，美光科技计划到2026年底将其高带宽内存（HBM）的月产能提升至约10万片晶圆，这一数字相比2025年每月约4万至5万片的水平接近翻倍。此举不仅有助于缓解全球HBM供应紧张的局面，也将加速缩小美光与三星电子、SK海力士这两家韩国巨头之间的规模差距。从产业链角度来看，HBM作为AI加速器的关键组件，其产能扩张直接关系到下游英伟达等厂商的出货能力，因此美光的这一规划具有重要的市场信号意义。
据媒体当地时间周五援引业内消息报道，美光的扩产计划具体包括：到2026年底将HBM月产能提升至约10万片晶圆，同时显著提高面向英伟达Vera Rubin平台的12层HBM4产出。分析人士指出，这一节奏表明美光正试图通过集中资源抢占下一代AI芯片的配套存储市场，从而在竞争格局中寻求突破。
若目标达成，美光与韩国同业的规模差距将明显收窄，但两家韩企的制造体量仍大幅领先。据统计，三星电子与SK海力士当前的HBM月产能均在15万至20万片之间，这意味着即便美光实现翻倍，其产能仍仅为韩系巨头的一半左右。不过，产能差距的缩小将直接反映在市场份额上，可能进一步打破当前由SK海力士主导的格局。
报道称，美光已向HBM设备供应商追加采购订单，新设备正在其中国台湾与新加坡的生产基地安装。这一区域分布策略也值得关注：中国台湾基地靠近下游封装厂商，而新加坡基地则有助于分散地缘政治风险。
从产品结构来看，美光的HBM产出目前仍以12层HBM3E为主，但12层HBM4的占比预计将从2026年初的约20%—30%，提升至年底的最高50%。这种产品升级节奏反映出HBM4正在迅速取代前代产品，成为AI加速器的主流配置。值得一提的是，12层堆叠技术带来的能效提升和带宽增加，是下游厂商愿意加速切换的关键驱动力。
根据美光3月17日发布的官方新闻稿，专为英伟达Vera Rubin GPU设计的HBM4 36GB 12层产品已于2026年第一季度开始量产出货，能效较上一代HBM3E提升逾20%；公司同时已向客户送样48GB 16层HBM4。从技术参数来看，这一代产品的性能提升主要来自于新架构的存储单元和更先进的制程工艺。
美光首席执行官Sanjay Mehrotra今年6月表示，HBM4的产能爬坡速度约为12层HBM3E的两倍，累计HBM4出货收入已突破10亿美元。这表明市场需求远比预期更为旺盛，也反映了AI产业对高带宽存储的依赖程度正在快速加深。
报道指出，由于这批HBM4产品几乎高度绑定英伟达的下一代AI加速器平台，新增产能能否被消化，很大程度上取决于英伟达的出货节奏。若英伟达的Vera Rubin平台推迟量产，美光可能面临库存积压风险；反之，则有望实现快速放量。因此，美光的产能扩张实际上是对英伟达产品路线图的一种“对赌”。
从市场格局来看，美光的扩产也印证了HBM供应持续紧张的现实。AI加速器厂商对堆叠存储的消耗量不断攀升，可用产能成为制约供应商出货与变现能力的核心因素。根据市场研究机构Counterpoint Research估算，2026年第二季度全球HBM份额为SK海力士50%、三星电子32%、美光18%。这意味着即便美光实现产能翻倍，其市场份额仍需通过价格竞争和客户绑定来进一步扩大。
