HBM3E

三星正计划削减30%-40%的1a nm HBM3E内存产能，转而扩大1b nm制程的DDR5、LPDDR5x等通用内存产量，旨在最大化整体获利。此举背景是通用内存价格飙升，且1b nm制程的盈利能力已超越1a nm。预计此举将显著提升三星整体盈利。

Rain科技12月12日消息，据韩国媒体报道，三星电子8层和12层堆叠HBM3E内存样品的性能未能达到英伟达的要求，这使得其今年内正式启动供应的可能性变得非常渺茫，实际供货预计将推…

Rain科技10月11日美国旧金山现场报道： 在Advancing AI 2024大会上，AMD正式发布了新款GPU加速卡Instinct MI325X。 这款产品基于广受好评的M…