海力士抢先展示UFS 4.1闪存:基于V9 TLC NAND颗粒打造

Rain科技8月9日消息,在FMS 2024峰会上,SK海力士展示了其最新的存储产品,包括尚未正式发布规范的UFS 4.1通用闪存。

据JEDEC固态技术协会官网信息,目前公布的最新UFS规范是2022年8月的UFS 4.0,其理论接口速度高达46.4Gbps,预计UFS 4.1将在传输速率上实现进一步的提升。这意味着未来智能手机、移动设备等终端产品将能体验到更快的存储速度,提升用户的使用体验。

海力士抢先展示UFS 4.1闪存:基于V9 TLC NAND颗粒打造

海力士此次展示了两款UFS 4.1通用闪存产品,容量分别为512GB和1TB,均基于321层堆叠的V9 1Tb TLC NAND闪存。这意味着更高的存储密度,意味着更小的体积,也意味着更强大的存储能力。

海力士抢先展示UFS 4.1闪存:基于V9 TLC NAND颗粒打造

除了UFS 4.1,SK海力士还首次展出了容量业界领先的3.2Gbps V9 2Tb QLC以及3.6Gbps高速V9H 1Tb TLC颗粒。这些产品的出现,意味着未来存储技术将朝着更大容量、更快速度的方向发展,为用户带来更极致的使用体验。

此外,海力士还展出了可提升数据管理效率的ZUFS(分区UFS,Zoned UFS)样品,这些产品基于V7 512Gb TLC NAND,提供512GB和1TB两种容量。ZUFS 4.0产品预计将于今年第三季度进入量产阶段。ZUFS技术的应用,将进一步提升存储效率,为用户带来更流畅的使用体验。

海力士抢先展示UFS 4.1闪存:基于V9 TLC NAND颗粒打造

随着UFS 4.1通用闪存的推出,预计将进一步推动智能手机和移动设备性能的提升,为用户带来更加流畅、高效的移动体验。未来,随着存储技术的发展,用户将能够享受到更强大的存储能力,更快的速度,以及更极致的使用体验。

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