Rain科技10月5日消息，据媒体报道，台积电（TSMC）在2nm制程节点上取得重大突破，将首次引入Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管技术。这一技术进步标志着半导体工艺又一次显著提升，N2工艺还结合了NanoFlex技术，进一步增强了芯片设计的灵活性，为芯片性能的提升提供了新的可能。
与当前的N3E工艺相比，N2工艺预计将在相同功率下实现10%至15%的性能提升，或者在相同频率下将功耗降低25%至30%。同时，晶体管密度将提升15%，这将显著提高芯片的集成度和功能性。 这种性能提升主要归功于GAAFET晶体管技术的应用，其三维结构相比传统的FinFET更有利于电流控制和泄漏电流的减少。
然而，技术的进步往往伴随着成本的提升。据预测，台积电每片300mm的2nm晶圆价格可能突破3万美元，远高于此前预估的2.5万美元，也大约是3nm晶圆（1.85万至2万美元）和4/5nm晶圆（1.5到1.6万美元）价格的两倍。高昂的成本主要源于更复杂的制造工艺，例如，新工艺将需要更多的EUV光刻步骤，甚至可能采用双重曝光技术，这都直接增加了生产成本。
面对市场对2nm工艺技术的强烈需求，台积电正积极布局产能。其2nm晶圆厂将在台湾北部（新竹宝山）、中部（台中中科）和南部（高雄楠梓）三地建设，以确保满足全球芯片制造商日益增长的需求。这一战略举措不仅体现了台积电对自身技术的信心，也反映了2nm工艺在未来高性能芯片市场中的重要地位。
台积电计划于2025年下半年正式开始N2工艺的批量生产，预计最早在2026年前，客户就能收到采用N2工艺制造的芯片。鉴于苹果公司一直是台积电先进工艺的首批客户，外界普遍预测苹果将成为首批使用2nm工艺的客户之一，这将进一步巩固苹果在移动设备和高端芯片领域的领先地位。
