近日，关于苹果与英特尔可能达成的合作传闻引发了业界的广泛关注。据了解，有证券机构披露，苹果或将委托英特尔代工部分M系列处理器，以及非Pro版本的iPhone芯片。预计最早将在2027年出货的低端M系列芯片，以及2028年发布的iPhone标准版芯片，可能将采用英特尔的18A-P工艺。
有报道指出，苹果公司已与英特尔签署了保密协议，并已开始评估英特尔先进的18A-P工艺，通过获取其工艺设计套件（PDK）样本进行产品评估。英特尔18A-P工艺的一大亮点在于其采用了Foveros Direct 3D混合键合技术，该技术能够通过TSV（硅通孔）技术实现多个小芯片的垂直堆叠，这是英特尔在先进封装领域的重要布局。
然而，对于英特尔能够代工iPhone芯片的说法，部分行业人士持谨慎甚至否定的态度。他们认为，关键的制约因素在于BSPD（背面供电）技术。台积电在部分工艺节点上灵活采用BSPD技术，以构建丰富的产品组合，而英特尔则在其最新的18A和14A工艺上全面押注BSPD。
BSPD技术确实能带来性能上的提升，其原理是利用更短、更粗的金属路径为芯片供电，从而降低电压降，支持更高、更稳定的工作频率。但对于功耗和散热要求极高的移动设备芯片而言，这种性能增益可能并不显著。更令人担忧的是，BSPD技术可能会加剧芯片的自发热效应，从而需要额外的散热措施。
这是因为，在多数移动设备内部有限的空间内，尤其是散热结构设计相对局限的情况下，垂直散热效果不佳，而横向散热也面临挑战。在依赖空气散热或对温度有严格限制的应用场景下，这种方案的实现难度极大。因此，行业人士普遍认为，基于BSPD技术带来的散热挑战，英特尔在短期内很难获得iPhone芯片的代工订单。不过，对于M系列处理器而言，由于其通常拥有更大的散热空间，与英特尔在部分产品上进行合作的可能性依然存在，但具体能否实现仍有待观察。
