Rain科技7月1日消息，据媒体报道，三星首席技术官在近日举行的DS（器件解决方案）部门内部经营说明会上透露，其下一代高带宽存储器HBM4E的可靠性测试良率已提升至70%以上。业界通常将80%以上视为工艺成熟的“稳定良率”门槛，而HBM4E目前仍处于可靠性测试阶段，70%以上的水平被认为标志着开发进程已正式进入稳定区间。从行业视角看，这一数字虽未完全达标，但已接近量产临界点，反映出三星在HBM堆叠工艺和封装技术上的快速迭代能力。尤其考虑到HBM4E采用更复杂的12层堆叠结构与新工艺节点，70%的良率意味着关键工艺缺陷率已得到有效控制，后续微调有望在短期内突破80%大关。
在同一场合，该首席技术官还表示，三星在下一代10纳米级第七代DRAM工艺（D1d）上已取得相较于竞争对手的技术优势，并计划于今年11月完成生产准备认证（PRA）。这一节点意味着三星正试图在DRAM先进制程上重新夺回领先地位——过去几年SK海力士在HBM领域占据主导，而三星在D1d工艺上的突破，可能为下一代HBM5等产品奠定基础，形成从DRAM晶圆到HBM封装的垂直整合竞争力。
此前，三星已向主要客户交付了业界首批12层48GB HBM4E样品。据三星介绍，作为HBM4的迭代升级产品，12层HBM4E采用第六代10纳米级DRAM工艺（1c）及三星晶圆代工的4nm逻辑基片，在性能、容量、能效与散热方面均实现显著提升，主要面向大模型、生成式AI及高性能计算等场景。从技术路线看，HBM4E相当于在HBM4架构上做了一次“中期改款”，其速度、带宽和容量提升幅度虽非革命性，但对当前已逼近算力瓶颈的AI训练集群而言，每一项参数改进都能直接转化为更短的训练时间和更低的TCO（总拥有成本）。
与HBM4相比，HBM4E可提供稳定的14 Gbps引脚传输速度，并可扩展至16 Gbps，以满足日益增长的数据处理需求。整体性能提升超过20%，每个堆栈的内存带宽高达3.6 TB/s，有助于最大化大模型及下一代AI系统的计算潜力。值得注意的是，14~16 Gbps的速度区间恰好填补了当前HBM3E与未来HBM5之间的空白，使客户能在不更换平台的情况下获得即时性能提升，这种“兼容性升级”策略在商业上极具吸引力。
容量方面，HBM4E提供48GB，较上一代产品增加30%以上。三星还计划根据客户需求扩展产品线，包括32GB（8层）和64GB（16层）配置。对比SK海力士同期规划的HBM4E方案，三星在层数选择上更灵活，有助于覆盖从边缘推理到云端训练的多层次需求。不过，16层堆叠对封装工艺的热管理和机械可靠性提出了更高挑战，这也是三星后续需要重点验证的环节。
此外，得益于低功耗设计与封装工艺优化，产品能效提升了16%，热阻改善了超过14%，散热效率显著增强，有助于降低AI数据中心在高负载下的能耗。在数据中心电力成本日益敏感的今天，16%的能效提升相当于每瓦计算性能提升近五分之一，这不仅直接降低运营成本，还能缓解高密度部署时的散热瓶颈，为更大规模的GPU集群铺平道路。
