Rain科技7月3日消息，据媒体报道，澜起科技发布公告表示，作为MDB芯片国际标准的牵头制定者，公司引领相关技术的创新并保持行业领先地位。这一角色定位意味着澜起科技在DDR5内存接口芯片的标准化进程中拥有话语权，其技术路线对全球内存模组厂商的兼容性设计具有重要参考价值。
在2025年1月，澜起科技推出了第二子代MRCD/MDB芯片，在最近的两个季度实现出货量显著提升，产品凭借优异的性能和出色的稳定性获得全球主要内存模组厂商的认可，为后续产业放量奠定了基础。从出货节奏来看，第二子代产品的快速放量表明终端客户对更高带宽内存方案的需求正在加速释放，同时也验证了澜起科技在量产良率与成本控制上的能力。
此外，澜起科技计划今年完成第三子代MRCD/MDB芯片的工程研发，以持续巩固技术领先地位。这一研发节奏与DDR5内存生态的演进高度同步——当前DDR5内存的速率已从早期4800MT/s逐步攀升至8800MT/s甚至更高，未来数据中心和AI应用对内存带宽的需求还将持续增长。
全球有两家供应商能够提供DDR5第一子代MRCD/MDB芯片（支持速率8800MT/s），澜起科技是其中之一。澜起科技参与了MDB芯片国际标准（JEDEC）的制定工作。双供应商格局在客观上降低了下游客户的供应链风险，但同时也意味着更激烈的技术竞争——澜起科技必须通过持续迭代来保持对竞争对手的领先优势。
据悉，DDR5第三子代MRCD/MDB芯片支持速率预计将达到16000MT/s，相比第二子代MRCD/MDB芯片的12800MT/s提升25%。这一速率跃升将为下一代高性能计算、AI训练集群以及超大规模数据中心提供必要的内存带宽支撑。从行业趋势看，16000MT/s的速率已超越当前主流DDR5内存颗粒的速度极限，需要搭配更先进的信号完整性技术和更严苛的散热方案，这恰恰是澜起科技在接口芯片设计上的核心壁垒。
此外，澜起科技还在布局其他新产品，比如PCIe Switch、以太网及光互连相关产品等。因此，随着相关新产品逐步进入规模商用阶段，以及公司产品组合的不断丰富，预计新产品将成为推动公司未来成长的重要引擎。从战略层面看，澜起科技正试图从单一的内存接口芯片龙头，转型为涵盖互联、交换、光通信的综合性芯片平台，这有助于分散对单一产品线的依赖，同时契合AI与数据中心硬件架构升级带来的多元化需求。
