AI怪盗图9月10日消息，据韩国《朝鲜日报》报道，中国最大DRAM厂商长鑫存储（CXMT）已启动第四代高带宽内存HBM3的试产，但初期良率迟迟无法突破，停留在25%的水平。这意味着每生产四颗芯片，就有三颗可能成为废品。这一数据与行业公认的量产黄金良率80%相比，差距明显。
该媒体同时高调提及SK海力士同款产品，并称SK海力士自2022年起量产同类HBM3产品，良率已超过90%。半导体行业通常将80%作为量产良率的基准线，长鑫存储目前仅达到其三分之一。不过，需要指出的是，长鑫存储的HBM3仍处于试产阶段，良率提升需要时间和技术积累。作为中国首家实现HBM3试产的企业，其突破本身已具有里程碑意义，后续改善空间值得关注。
韩媒将问题根源指向TSV硅通孔技术。报道指出，长鑫存储用于HBM的G4工艺制造的普通DRAM本身没有大问题，真正的瓶颈在于TSV。
TSV是在DRAM芯片堆叠时，在每一层钻出数千个微米级小孔并填入铜，实现垂直电气连接。孔一旦偏移或填充不完整，整层芯片即告报废。这一工艺对精度和设备要求极高，是HBM制造中的核心难点之一。长鑫存储在此环节的良率偏低，反映出国内企业在先进封装领域的积累尚浅，但同时也意味着后续优化空间较大。
报道援引业界数据称，长鑫存储每颗芯片的TSV数量约3000个，而三星HBM2超过5000个，SK海力士HBM3超过8000个。韩媒借此强调韩企在TSV工艺上的领先。但TSV数量并非衡量技术水平的唯一指标，布线密度、通孔均匀性和可靠性同样关键。此外，长鑫存储的HBM3是首代产品，未来迭代后TSV数量有望逐步增加。
韩媒还引述业内人士称，TSV的工艺诀窍不是一朝一夕能积累的，三星和SK海力士在这方面已有4至5年的领先优势。从客观角度看，韩国企业确实在HBM领域深耕多年，积累了大量工程经验，但中国半导体产业近年来也在加速追赶，长鑫存储的试产本身就是重要信号。技术差距客观存在，但并非不可逾越。
不过报道也承认，长鑫存储正将少量HBM样品供应给寒武纪等中国企业，在持续改善良率的同时推进商业化进程。这表明国产HBM已开始进入实际验证阶段，未来若良率提升至60%以上，将具备初步商用价值，对国内AI芯片产业链形成支撑。
