AI怪盗图9月20日消息，在2026世界制造业大会上，长鑫科技宣布第五代技术平台正式量产。
据介绍，长鑫科技将内存阵列有源区半间距做到11.95纳米，存储器电容深宽比达45:1，核心动能区高度降至6762纳米。这些参数标志着国产存储技术已进入国际先进行列——11.95纳米的半间距与业界主流DRAM制程（如1α节点）相当，45:1的深宽比更是突破了传统工艺瓶颈，为高密度集成提供了关键支撑。
同时，第五代工艺平台存储密度大幅提升。同等条件下，每张晶圆产出较上一代平台提升50%以上。基于该平台打造的24GB LPDDR5X产品已进入正式量产，并全面进入国产主流旗舰手机。这一产能提升不仅降低了单位成本，更意味着国产存储芯片在智能手机市场的渗透率将显著加速——考虑到当前旗舰机型对高带宽、大容量内存的依赖，24GB LPDDR5X的批量供货有望直接改变终端产品配置格局。
根据长鑫存储官网信息，其LPDDR5X产品线覆盖颗粒、芯片及模组等多种形态。颗粒方面提供12Gb和16Gb两种容量；芯片方案涵盖12GB、16GB、24GB等规格；模组形态的LPCAMM产品则提供16GB和32GB容量。从市场角度看，这种多形态覆盖策略可同时满足智能手机、平板电脑、轻薄笔记本等不同场景需求，尤其LPCAMM模组为高性能移动设备提供了紧凑的封装方案，在散热和功耗控制上具备竞争优势。
速率方面，该系列同时支持8533Mbps、9600Mbps和10667Mbps三档，并兼容LPDDR5标准，为用户提供灵活的升级路径。其中10.7Gbps的速率已追平国际一线厂商的LPDDR5X产品线，在数据传输带宽上能够满足AI推理、高帧率游戏等场景的实时需求。值得注意的是，长鑫此次量产节点恰逢全球存储市场周期性复苏，国产替代进程有望借势进一步提速。
