AI怪盗图10月16日消息，据报道，全球存储芯片三巨头本周遭遇罕见下跌。过去5个交易日，SK海力士股价累计下跌26%，三星电子下跌22%，美光科技下跌约11%。引发这轮抛售的核心原因之一，是市场对2029年产能过剩的担忧正在加剧。
据韩国《每日经济新闻》报道，随着各大存储厂商新增产能陆续投产，全球存储市场可能在2029年出现供过于求，到2030年本轮超级周期将结束，转入下行阶段。这一判断成为压垮市场情绪的最后一根稻草。
产能过剩预期之所以迅速升温，与中国厂商的技术突破直接相关。长鑫存储总裁曹堪宇在第四届集成芯片和芯粒大会上宣布，公司计划在2026年底前开始供应采用4F²架构的DDR5 RDIMM服务器内存，主要锁定数据中心市场。
4F²架构通过垂直晶体管设计，将存储单元面积进一步缩小，是DRAM微缩路线上的重要突破。
从技术角度看，4F²架构的价值不止于“更小”。它改变了存储单元的排列方式，使单颗芯片的容量密度得以提升，从而摊薄单bit成本。长鑫存储选择在DDR5 RDIMM上推进这一架构，意味着中国厂商开始向服务器内存这一“利润高地”发起冲击，而不再局限于消费级市场。
但市场显然更关注长期威胁，如果长鑫存储持续扩大份额，将对三星、SK海力士和美光的定价权构成实质性冲击。过去几年，中国存储厂商已在DRAM标准型产品上逐步打开局面，但服务器RDIMM对稳定性、兼容性和生态要求更高，一旦这块拼图补齐，三大厂商的护城河将面临真正考验。
特斯拉CEO马斯克也在X平台上补了一刀，直言中国将在2028年大量生产内存。这一表态进一步放大了市场对产能过剩的恐慌。不过，马斯克的推测与长鑫存储宣布的时间表并不完全一致，这也反映出市场对中国存储产能爬坡速度的预期仍有较大不确定性。
实际上，存储行业的产能过剩预警并不罕见。2017年前后，各大厂商在数据中心红利下大幅扩产，结果2019年DRAM价格大幅回落，行业经历了痛苦的去库存周期。眼下市场形成“2029年过剩”的一致预期，很大程度上是对历史上“扩产—过剩—低谷”循环的重演。
不过，预测周期往往充满变数：厂商会延迟量产、调整资本开支，甚至通过技术跳代来控制供给，因此2029年的过剩并非板上钉钉。短期来看，存储市场仍处于短缺状态。摩根大通预测，2026年全球存储供应缺口约为20%，2027年为19%，2028年仍有15%。这意味着产能过剩的警报虽然已经拉响，但从短缺到过剩之间，仍有数年的过渡期。对投资者而言，在“短缺”与“过剩”的叙事切换中，真正值得关注的不是单日涨跌，而是技术路线和产能决策的长期走向。
