Intel 14A 工艺信心十足,聚焦功耗降低 35% 汲取 18A 教训

Intel CEO已强调2026年14A工艺建厂将取决于大客户,但Intel表示已有信心。14A工艺与外部伙伴共同开发,将使用更昂贵、性能更强的High NA EUV光刻机,预计能提升15-35%的性能和降低功耗。Intel晶圆代工团队正努力实现即使无大量外部订单也能盈亏平衡。

Rain科技9月10日消息,英特尔(Intel)公司在今年底将量产其18A工艺,这是其首次采用GAA(Gate-All-Around)结构的晶体管工艺。而明年,即2025年,将是英特尔的关键一年,直接关系到其下一代14A工艺的命运。

此前,英特尔CEO帕特·盖尔辛格(Pat Gelsinger)曾表示,若到2026年仍未获得重要的外部大客户,14A工艺可能不会进行大规模建厂。这一说法一度引发了外界对其停止发展先进工艺的担忧。然而,英特尔方面也在积极发布正面信息,强调获得大客户的可能性非常高,并对14A工艺的先进性和强大能力表示了极大的信心。

近日,在一次高盛媒体与技术大会上,英特尔公司规划与投资者关系副总裁John Pitzer再次重申了对14A工艺的信心,并表示公司已从之前的(18A工艺)开发过程中吸取了宝贵的经验教训。

与18A工艺在开发初期主要针对英特尔自身产品进行优化不同,14A工艺从一开始就设定了与外部合作伙伴共同开发的战略,并直接根据高性能计算(HPC)及移动应用场景的需求进行了深度优化。这种开放式的开发模式,有助于英特尔更精准地对接市场需求,并吸引更多合作伙伴。英特尔的晶圆代工业务部门正致力于实现一个重要目标:即在2027年,即便没有庞大的外部订单,也能实现盈亏平衡。

根据英特尔先前披露的信息,14A工艺是18A工艺的下一代技术。其一项显著的升级是将首次采用ASML的Twinscan EXE:5200B系列High NA EUV光刻机。值得注意的是,这类新一代光刻机的价格高达近4亿美元,约为当前EUV光刻机的1.5至2倍。因此,14A工艺的制造成本预计将比18A工艺更为高昂。

尽管成本增加,14A工艺在性能上的提升同样十分可观。预计每瓦性能将提升15-20%,功耗则能降低25-35%。此外,14A工艺还引入了新的晶体管结构升级,能够在不牺牲芯片面积或增加功耗的前提下,显著提升运行速度,从而为高端计算和移动设备带来更强的处理能力和更低的能耗,这对于竞争激烈的半导体市场至关重要。

英特尔重申14A工艺信心,功耗有望降低35%,已吸取18A工艺教训

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