Rain科技6月8日消息，针对外界称台积电因保守不愿投资下一代光刻设备的传言，台积电董事长魏哲家近日在股东大会上亲自辟谣，表示有买High-NA EUV光刻机，且正努力研发，但基于成本考量，现阶段暂不投入量产。
从行业竞争角度看，台积电此时澄清并非无的放矢。竞争对手英特尔已公开将High-NA EUV列为其18A制程的关键设备，并计划在2025年量产。台积电选择“先研发、后投产”的路线，其实是一种典型的风险对冲策略——既不想在技术迭代中掉队，又不愿过早承担高昂的设备折旧压力。这种谨慎背后，是台积电对现有EUV设备潜力的深度挖掘，以及对客户晶圆成本敏感性的长期观察。
这台ASML研发的最新High-NA EUV光刻机，每台单价高达3.8亿至4亿美元，是当前主流EUV设备的两倍多。魏哲家坦言，设备太贵是暂不量产的主因。如果单台设备成本无法通过更高的产出效率或更低的缺陷率来摊薄，那么过早导入反而会拉高整体代工报价，削弱台积电在先进制程上的价格竞争力。事实上，台积电在7nm、5nm时代就多次通过多重图案化技术延长了既有光刻设备的使用周期，这一经验被成功复制到3nm及以下制程。
台积电的策略是先用好手里现有的EUV设备。魏哲家强调，现有光刻机搭配多重图案化技术，仍足以支撑先进制程的微缩需求，台积电有底气等High-NA EUV的经济账算得更划算时再出手。从技术指标看，High-NA EUV（数值孔径0.55）相比当前0.33 NA的EUV，理论上可以实现更精细的单次曝光线宽，但与此同时，其光刻胶敏感度、掩模版尺寸变化以及热管理问题都更为复杂，需要大量工艺磨合才能达到量产级的良率。
台积电早在2024年9月就接收了首台High-NA EUV光刻机，并安置在研发中心用于开发下一代工艺的基础光刻技术。魏哲家认为，提前启动研发准备，才能确保未来投产时达到可靠良率与产出效率。提前一年以上的研发周期，意味着台积电可以在设备正式量产前，积累足够多的工艺参数和缺陷数据库，从而在切换时减少产线波动。
不过他坦言，要把这台4亿美元的设备真正用起来，还需再等等。英特尔等竞争者早已将High-NA EUV提上量产日程，而台积电选择先研发、后投产更稳妥的路线，符合其一贯的成本纪律。从供应链角度看，ASML每年High-NA EUV的产能非常有限（预计2025年仅约20台），台积电提前锁定研发样机，也为其后续批量采购预留了谈判筹码。
魏哲家预计，High-NA EUV将在真正需要单次曝光实现更细微线宽且晶圆成本开始具备竞争力的时间点，自然进入生产体系。这一时间点很可能对应1.4nm或更先进制程的量产窗口，届时多重图案化带来的复杂度和成本将接近拐点，High-NA EUV的经济效益才会真正凸显。
