Rain科技7月17日消息，日前ASML在财报会议上出乎意料地宣布了一个好消息——Intel的18A工艺已经率先量产了High NA EUV光刻工艺，这还是该技术的全球首次。
Intel确实是全球最早购买High NA EUV光刻机的，但Intel之前的路线图中，只有到14A工艺节点才会应用该技术，后者2028年才会试产，2029年才会量产。
如今High NA EUV的量产提前了三年之多，确实让人想不到，虽然该工艺只是在18A工艺的部分层中量产，还不会取代当前的low NA EUV光刻机。
那Intel率先量产High NA EUV技术有什么意义？还真不是纯粹作秀，Intel公布的信息显示，High NA EUV光刻层的成本比当前的EUV成本还低，后者需要40多个步骤才能完成的曝光过程只需要用High NA EUV光刻机1次就能完成。
从技术层面来看，High NA EUV光刻机采用0.55数值孔径（NA）的投影光学系统，相比当前Low NA EUV（0.33 NA）能够实现更高的分辨率，从而在更小的芯片特征尺寸上实现更精细的图案化。虽然其设备成本高昂，但通过大幅减少曝光步骤，可以显著降低整体制造成本——例如将原本需要40多步的工艺压缩到一步完成，这对良率和生产周期都有积极影响。Intel此次在18A工艺上率先引入High NA EUV，不仅验证了该技术的成熟度，也为后续14A工艺的大规模量产积累了宝贵经验。相比之下，台积电在A12工艺之前不打算采用High NA EUV，显示出其对当前Low NA EUV技术的信心，但也可能面临未来技术迭代中的竞争压力。业界分析认为，台积电的策略更注重渐进式升级，而Intel则选择激进突破，两种路线各有优劣，最终结果将取决于实际量产效率和成本控制。
再往别的方面来看，Intel在18A工艺上就率先使用High NA EUV工艺生产，可以为下一代的14A工艺排雷，提前部署可以积累经验，到了14A工艺大规模量产High NA EUV工艺的时候就能快速产能爬坡。
14A工艺对Intel来说可能比18A工艺还要重要，不光是技术迭代，14A是Intel争取苹果、谷歌、微软、亚马逊、Meta等公司代工订单的核心一战，这一代再拿不下大客户的订单，Intel在代工市场真的没什么机会了，哪怕美国政府再强制输血也没用。
此外，在High NA EUV工艺上，Intel也能完成对台积电的一次超越——过去十多年中Intel为什么在先进工艺上落后，很多人不知道的是Intel之前对EUV量产的进度非常保守，一直希望用DUV+SAQP多重图案之类的技术继续迭代，结果被台积电用率先量产EUV工艺彻底赶超了。
如今风水轮流转，台积电对High NA EUV光刻机意兴阑珊，A12工艺之前都不会用，也就是2030年之前都不会量产High NA EUV工艺，而Intel这波量产直接提前了4年，实现了一次对台积电的技术领先。
至于双方这次押注到底谁能笑到最后，现在说还为时过早，等着看吧。
