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美光首财季营收超预期，DRAM和NAND创历史新高，AI需求强劲。尽管大力扩产，包括新建晶圆厂，美光CEO仍预计2026年后DRAM供应短缺将持续，且产能扩张也仅能满足核心客户一半至三分之二的需求。

内存价格飙升，部分奸商炒作至原价8倍，32GB DDR5套条售价高达5900元，堪比RTX 5070显卡。品牌及零售平台趁机哄抬，高价内存仍有买家。此轮涨价已影响OEM、SI厂商及部分整机售价，短期内“AI泡沫”难破。

全球内存价格暴涨，三星凭借传统DRAM产品价格上涨及HBM技术追赶，预计第四季度营收有望超越SK海力士，重夺DRAM市场龙头地位。其半导体部门利润大增，大幅超出市场预期。

三星正计划削减30%-40%的1a nm HBM3E内存产能，转而扩大1b nm制程的DDR5、LPDDR5x等通用内存产量，旨在最大化整体获利。此举背景是通用内存价格飙升，且1b nm制程的盈利能力已超越1a nm。预计此举将显著提升三星整体盈利。

近期DDR5内存价格暴涨2至4倍，迫使用户推迟装机和升级计划，导致主板销量同比下降40%-50%，其中华硕、技嘉、微星等厂商受创严重。尽管临近年底促销季，内存价格上涨趋势已逆转，迫使用户等待或妥协，CPU销量也因此受到直接影响。

SK海力士在SC25超算大会上展示了多款新一代DDR5内存，包括采用1cnm工艺的64GB RDIMM，以及96GB 1bnm RDIMM。特别引人注目的是3DS DDR5 RDIMM和DDR5 Tall MRDIMM，均可达256GB单条容量，前者专为AI优化，后者适合高性能机架，最大速率达12800Mbps。

受数据中心建设需求驱动，全球DRAM市场面临严重短缺，已引发制造商和客户恐慌性购买。预计短缺持续至2027年，内存价格将高位运行。此前DRAM产业下行导致产能削减，AI热潮突增需求，供应链调整尚需时日。此次短缺将推高PC等消费电子产品售价。

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内存市场价格暴涨，DDR4和DDR5均出现明显涨幅。此轮涨价由AI服务器需求增加、上游原材料成本上涨以及渠道囤货等因素共同推动。即使双11促销，目前也不建议普通消费者购买内存条，建议等待市场泡沫破裂。