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日本电子巨头富士通联手Intel，利用超算项目需求，将投入5100万美元研发替代HBM的新型3D堆栈内存。该项目预计2027年春推出原型，2029年量产，内存容量将提升两三倍，功耗降低一半。台积电将参与制造。

AI浪潮致使显卡、内存价格飙升，PC组装或升级成为奢侈负担。硬件厂商优先供应AI公司，导致游戏硬件短缺，部分产品价格翻倍甚至停产。PC玩家面临生存危机，市场增长率或下滑，回归主机或转向云游戏成为可能。

内存价格恐难下降，预计2026年达到峰值，2027年维持高位，2028年继续上涨。主要原因是AI市场对HBM内存需求激增，内存厂商转而生产高利润的HBM，导致消费级内存供不应求。2027年NVIDIA新AI平台将消耗巨量HBM内存，加剧供应紧张。

芝奇官方罕见声明，指出DDR5内存价格疯涨，并直言建议消费者“审慎考虑”购买。疯涨主因在于AI行业爆发式需求驱动的全球性DRAM供应短缺。芝奇自身采购成本飙升，零售价变动正是行业成本上涨的反映。

美光首财季营收超预期，DRAM和NAND创历史新高，AI需求强劲。尽管大力扩产，包括新建晶圆厂，美光CEO仍预计2026年后DRAM供应短缺将持续，且产能扩张也仅能满足核心客户一半至三分之二的需求。

内存价格飙升，部分奸商炒作至原价8倍，32GB DDR5套条售价高达5900元，堪比RTX 5070显卡。品牌及零售平台趁机哄抬，高价内存仍有买家。此轮涨价已影响OEM、SI厂商及部分整机售价，短期内“AI泡沫”难破。

全球内存价格暴涨，三星凭借传统DRAM产品价格上涨及HBM技术追赶，预计第四季度营收有望超越SK海力士，重夺DRAM市场龙头地位。其半导体部门利润大增，大幅超出市场预期。

三星正计划削减30%-40%的1a nm HBM3E内存产能，转而扩大1b nm制程的DDR5、LPDDR5x等通用内存产量，旨在最大化整体获利。此举背景是通用内存价格飙升，且1b nm制程的盈利能力已超越1a nm。预计此举将显著提升三星整体盈利。

近期DDR5内存价格暴涨2至4倍，迫使用户推迟装机和升级计划，导致主板销量同比下降40%-50%，其中华硕、技嘉、微星等厂商受创严重。尽管临近年底促销季，内存价格上涨趋势已逆转，迫使用户等待或妥协，CPU销量也因此受到直接影响。

SK海力士在SC25超算大会上展示了多款新一代DDR5内存，包括采用1cnm工艺的64GB RDIMM，以及96GB 1bnm RDIMM。特别引人注目的是3DS DDR5 RDIMM和DDR5 Tall MRDIMM，均可达256GB单条容量，前者专为AI优化，后者适合高性能机架，最大速率达12800Mbps。